[发明专利]一种DFB激光器部分光栅制作方法

权利要求书

1.一种DFB激光器部分光栅制作方法，其特征在于：包括如下步骤：

步骤1：在N型磷化铟衬底(1)上，采用金属有机化学气相沉积方法依次生长N型InP缓冲层(2)、多量子阱结构(3)、P型InP层(4)、InGaAsP光栅层(5)及InP光栅层(6)；

步骤2：在外延片表面涂覆光刻胶(7)，使用光刻版作为掩膜层遮住部分光栅，先在光刻机下进行曝光，然后进行全息曝光及显影，从而形成光栅区(8)与非光栅区(9)；

步骤3：利用光刻胶(7)作为保护层，采用反应离子刻蚀技术对光栅层中InP层进行刻蚀，刻蚀深度大于所述InP光栅层(6)厚度，但不超过所述InGaAsP光栅层(5)总厚度；

步骤4：采用针对InGaAsP的选择性腐蚀液对所述InGaAsP光栅层(5)进行进一步腐蚀，室温静置腐蚀，腐蚀完InGaAsP光栅层后即停止。

2.如权利要求1所述的DFB激光器部分光栅制作方法，其特征在于：所述多量子阱结构(3)包括厚度为50-100nm的下限制层、厚度为100-200nm的多量子阱层及厚度为50-100nm的上限制层，所述下限制层位于所述上限制层下方。

3.如权利要求1所述的DFB激光器部分光栅制作方法，其特征在于：所述N型InP缓冲层(2)厚度为500nm。

4.如权利要求1所述的DFB激光器部分光栅制作方法，其特征在于：所述P型InP层(4)厚度为10-100nm。

5.如权利要求1所述的DFB激光器部分光栅制作方法，其特征在于：所述InGaAsP光栅层(5)厚度为30-100nm。

6.如权利要求1所述的DFB激光器部分光栅制作方法，其特征在于：所述InP光栅层(6)厚度为10-20nm。

7.如权利要求1所述的DFB激光器部分光栅制作方法，其特征在于：所述光栅区(8)宽度为150-250um，光栅区(9)宽度为50-150um。

8.如权利要求1所述的DFB激光器部分光栅制作方法，其特征在于：所述的反应离子刻蚀技术，反应气体为CH4/H2混合气体，其中CH4流量为8-12sccm，H2流量为30-50sccm，射频功率为50-100W，反应气压为30-50mTorr，反应温度为20-25℃，反应时间为2-3分钟。

9.如权利要求1所述的DFB激光器部分光栅制作方法，其特征在于：所述选择性腐蚀液为H3PO4、H2O2和H2O组成的混合腐蚀液。

10.如权利要求9所述的DFB激光器部分光栅制作方法，其特征在于：所述选择性腐蚀液中H3PO4:H2O2:H2O的体积比为5:1:20。