[发明专利]注入增强缓冲层结构和含该结构的SiC光触发晶闸管

权利要求书

1.一种注入增强缓冲层结构，其特征在于：包括上缓冲区即第一外延层(3)，该上缓冲区材料为n型SiC，厚度为0.1μm-2.9μm，上下端表面积为1μm²-2000cm²；

紧邻上缓冲区的下方为下缓冲区即第二外延层(2)，该下缓冲区的材料为n型SiC，厚度为0.1μm-2.9μm，上下端表面积为1μm²-2000cm²；

上缓冲区与下缓冲区相连，其中上缓冲区的施主杂质掺杂浓度大于下缓冲区的施主掺杂浓度。

2.一种含注入增强缓冲层结构的SiC光触发晶闸管，其特征在于：包括衬底(4)，在衬底(4)下表面制作有第一外延层(3)，在第一外延层(3)下表面制作有第二外延层(2)，在第二外延层(2)下表面制作有第三外延层(1)；

在衬底(4)上表面制作有第四外延层(5)，在第四外延层(5)上表面制作有第五外延层(6)，

在衬底(4)上部镶嵌有结终端(9)，并且结终端(9)位于第四外延层(5)的末端之外；

还包括绝缘介质薄膜(7)，绝缘介质薄膜(7)覆盖在第五外延层(6)的各个凸台侧壁、各个凸台之间的第四外延层(5)表面、第四外延层(5)末端侧壁、结终端(9)表面、以及结终端(9)末端之外衬底(4)的表面，绝缘介质薄膜(7)位于各个凸台之间的部分的高度低于凸台的上端面；

在第五外延层(6)的各个凸台上端面覆盖有阴极(8)；

在第三外延层(1)下端面覆盖有阳极(10)。

3.根据权利要求2所述的含注入增强缓冲层结构的SiC光触发晶闸管，其特征在于：所述的衬底(4)的材料为n型SiC，该衬底(4)的厚度为100μm-1mm，该衬底(4)的上下端表面积为1μm²-2000cm²。

4.根据权利要求2所述的含注入增强缓冲层结构的SiC光触发晶闸管，其特征在于：所述的第三外延层(1)的材料为p型SiC，该第三外延层(1)的厚度为0.1μm-10μm，该第三外延层(1)的上下端表面积为1μm²-2000cm²。

5.根据权利要求2所述的含注入增强缓冲层结构的SiC光触发晶闸管，其特征在于：所述的第四外延层(5)的材料为p型SiC，该第四外延层(5)的厚度为0.1μm-3μm，该第四外延层(5)的上下端表面积为1μm²-2000cm²。

6.根据权利要求2所述的含注入增强缓冲层结构的SiC光触发晶闸管，其特征在于：所述的第五外延层(6)分为多个凸台，每个凸台的侧壁为平面，该第五外延层(6)的材料为n型SiC，该第五外延层(6)的厚度为0.1μm-10μm，该第五外延层(6)的上下端表面积为1μm²-2000cm²。

7.根据权利要求2所述的含注入增强缓冲层结构的SiC光触发晶闸管，其特征在于：所述的结终端(9)呈p型，其厚度不大于1μm，宽度为1μm-1mm。

8.根据权利要求2所述的含注入增强缓冲层结构的SiC光触发晶闸管，其特征在于：所述的绝缘介质薄膜(7)厚度为0.1μm-2μm。

9.根据权利要求2所述的含注入增强缓冲层结构的SiC光触发晶闸管，其特征在于：所述的阴极(8)由阴极金属与阴极压焊块组成，阴极压焊块覆盖在阴极金属的上表面，厚度为0.1μm-100μm。

10.根据权利要求2所述的含注入增强缓冲层结构的SiC光触发晶闸管，其特征在于：所述的阳极(10)由阳极金属与阳极压焊块组成，阳极压焊块覆盖在阳极金属的下端面，厚度为0.1μm-100μm。