[发明专利]一种去除晶圆上难挥发物质的方法

权利要求书

1.一种去除晶圆上难挥发物质的方法，应用于深槽隔离制程工艺的钨回刻工艺中，在所述深槽隔离制程工艺中易生成难挥发的物质，且所述难挥发的物质附着在晶圆上；

其特征在于，所述晶圆具有一半导体结构，所述半导体结构包括一衬底，所述衬底刻蚀有一沟槽，于所述沟槽内壁以及所述沟槽的顶部依次沉积一层氧化层、第一氧化物层、第二氧化物层以及氮化物层，于所述沟槽内位于所述氮化物层上填充一层金属层；

包括以下步骤：

步骤S1、将所述晶圆放置于一反应腔体中；

步骤S2、对所述晶圆进行加热，并于所述反应腔体中通入一第一反应气体以及一第二反应气体；

步骤S3、控制对所述晶圆的加热温度，以去除附着在所述晶圆上的金属杂质；

步骤S4、维持通入的所述第二反应气体的流量，使所述第二反应气体与难挥发的物质反应形成挥发性物质；

其中，所述第一氧化物层包括铝氧化物层；

所述难挥发物质为沉积所述铝氧化物层过程中，掉落于所述晶圆上的金属铝；

所述第二反应气体为氯气。

2.根据权利要求1所述的去除晶圆上难挥发物质的方法，其特征在于，所述第一氧化物层还包括钽氧化物层；

所述铝氧化物层通过化学沉积工艺生长于所述氧化层上，所述钽氧化物层通过化学沉积工艺生长于所述铝氧化物层上；或者

所述铝氧化物层通过物理沉积工艺生长于所述氧化层上，所述钽氧化物层通过物理沉积工艺生长于所述铝氧化物层上。

3.根据权利要求1所述的去除晶圆上难挥发物质的方法，其特征在于，当通入的所述第二反应气体为氯气时，通过所述氯气与所述金属铝反应生成氯化铝。

4.根据权利要求1所述的去除晶圆上难挥发物质的方法，其特征在于，

通过所述钨回刻工艺对所述半导体进行刻蚀的方法包括以下步骤：

步骤A1、于所述反应腔体内通入一第一反应气体，以刻蚀去除位于所述氮化物层上的所述金属层，使刻蚀后的所述金属层的顶部与所述第二氧化物层的顶部齐平；

步骤A2、通过通入的所述第二反应气体，以刻蚀去除位于所述第二氧化物层顶部上的所述氮化物层。

5.根据权利要求1所述的去除晶圆上难挥发物质的方法，其特征在于，所述第一反应气体为六氟化硫。

6.根据权利要求1所述的去除晶圆上难挥发物质的方法，其特征在于，所述金属层的金属为钨。

7.根据权利要求1所述的去除晶圆上难挥发物质的方法，其特征在于，所述反应腔体中设置有一静电吸附盘，所述晶圆正面朝上放置于所述静电吸附盘上；

所述静电吸附盘上设置有加热装置，通过所述加热装置对放置于所述静电吸附盘上的所述晶圆进行加热处理。

8.根据权利要求1所述的去除晶圆上难挥发物质的方法，其特征在于，所述第二氧化物层为四乙基原硅酸盐层。