[发明专利]叠对偏移量测量补偿方法、装置及存储介质有效

专利信息
申请号: 201711003144.2 申请日: 2017-10-24
公开(公告)号: CN109696804B 公开(公告)日: 2021-07-09
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 长鑫存储技术有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20
代理公司: 北京市铸成律师事务所 11313 代理人: 由元;武晨燕
地址: 230000 安徽省合肥市*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 偏移 测量 补偿 方法 装置 存储 介质
【权利要求书】:

1.一种叠对偏移量的测量补偿方法,其特征在于,包括:

获得曝光单元的第一参数和第二参数,其中,所述第一参数包括所述曝光单元的Z轴值以及所述第二参数,所述第二参数包括所述曝光单元的X轴值和/或Y轴值;

计算所述曝光单元的第一叠对偏移量,所述第一叠对偏移量的计算基于所述第一参数,所述第一叠对偏移量包括所述Z轴值在所述第二参数所在轴上的分量;

测量所述曝光单元的第二叠对偏移量,所述第二叠对偏移量的测量包括基于所述第二参数的再测量,以通过测量不同层的叠对标记获得所述第二叠对偏移量;

获得所述第一叠对偏移量和所述第二叠对偏移量的相关系数;以及,

计算所述曝光单元的第三叠对偏移量,所述第三叠对偏移量为所述第一叠对偏移量乘以所述相关系数。

2.根据权利要求1所述的叠对偏移量的测量补偿方法,其特征在于,测量所述曝光单元的第二叠对偏移量的方法包括同心对准式标记测量法或先进成像标记测量法或基于衍射的叠对标记测量法。

3.根据权利要求1所述的叠对偏移量的测量补偿方法,其特征在于,所述第二参数包括所述曝光单元的X轴值,所述第一叠对偏移量包括X轴上的叠对偏移量,所述第一叠对偏移量依据以下公式计算:

其中,OVX1为所述曝光单元在X轴上的所述第一叠对偏移量,z为所述曝光单元的Z轴值,x为所述曝光单元的X轴值,d为待处理的晶圆的厚度。

4.根据权利要求1至3任一项所述的叠对偏移量的测量补偿方法,其特征在于,所述第二参数包括所述曝光单元的Y轴值,所述第一叠对偏移量包括Y轴上的叠对偏移量,所述第一叠对偏移量依据以下公式计算:

其中,OVY1为所述曝光单元在Y轴上的所述第一叠对偏移量,z为所述曝光单元的Z轴值,y为所述曝光单元的Y轴值,d为待处理的晶圆的厚度。

5.根据权利要求1所述的叠对偏移量的测量补偿方法,其特征在于,所述方法还包括:将所述第三叠对偏移量反馈给控制系统,所述控制系统控制当前光刻层或后一光刻层进行所述第三叠对偏移量的校正。

6.根据权利要求5所述的叠对偏移量的测量补偿方法,其特征在于,所述校正包括所述控制系统控制所述当前光刻层或所述后一光刻层移动叠对补偿量,所述叠对补偿量依据以下公式计算:

COR=-OV3×P

其中,COR为所述叠对补偿量,OV3为所述第三叠对偏移量,P为补偿系数。

7.根据权利要求6所述的叠对偏移量的测量补偿方法,其特征在于,所述补偿系数为80%~90%,包括端点值。

8.一种叠对偏移量的测量补偿装置,其特征在于,包括:

参数获得单元,用于获得曝光单元的第一参数和第二参数,其中,所述第一参数包括所述曝光单元的Z轴值以及所述第二参数,所述第二参数包括所述曝光单元的X轴值和/或Y轴值;

第一叠对偏移量计算单元,用于基于所述第一参数计算所述曝光单元的第一叠对偏移量,所述第一叠对偏移量包括所述Z轴值在所述第二参数所在轴上的分量;

第二叠对偏移量测量单元,用于测量所述曝光单元的第二叠对偏移量,所述第二叠对偏移量的测量包括基于所述第二参数的再测量,以通过测量不同层的叠对标记获得所述曝光单元的第二叠对偏移量;

相关系数获得单元,用于获得所述第一叠对偏移量和所述第二叠对偏移量的相关系数;以及,

第三叠对偏移量计算单元,用于计算所述曝光单元的第三叠对偏移量,所述第三叠对偏移量为所述第一叠对偏移量乘以所述相关系数。

9.根据权利要求8所述的测量补偿装置,其特征在于,所述测量补偿装置还包括连接于控制系统的反馈单元,所述反馈单元将所述第三叠对偏移量反馈给所述控制系统,所述控制系统控制当前光刻层或后一光刻层进行所述第三叠对偏移量的校正。

10.一种计算机可读存储介质,其存储有计算机程序,其特征在于,所述计算机程序被计算机处理器执行时实现如权利要求1~7任一项所述的方法。

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