[发明专利]透明OLED显示器及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201711003246.4 申请日: 2017-10-24
公开(公告)号: CN107808895B 公开(公告)日: 2019-10-01
发明(设计)人: 刘兆松;任章淳 申请(专利权)人: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;H01L49/02;H01L21/77
代理公司: 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 代理人: 林才桂;闻盼盼
地址: 518132 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 透明 oled 显示器 及其 制作方法
【权利要求书】:

1.一种透明OLED显示器的制作方法,其特征在于,采用透明金属氧化物半导体材料制备第一储存电容电极(41),采用透明导电氧化物材料制备第二储存电容电极(92);

具体包括如下步骤:

步骤1、提供衬底基板(10),在所述衬底基板(10)上形成栅极(20),在所述衬底基板(10)上形成覆盖所述栅极(20)的栅极绝缘层(30);

步骤2、在所述栅极绝缘层(30)上形成对应于栅极(20)上方的有源层(40)以及与有源层(40)间隔设置的第一储存电容电极(41);所述有源层(40)与第一储存电容电极(41)均由透明金属氧化物半导体材料制备;

步骤3、在所述栅极绝缘层(30)上形成覆盖有源层(40)与第一储存电容电极(41)的蚀刻阻挡层(50),并在蚀刻阻挡层(50)上形成对应于有源层(40)两端的第一通孔(51)与第二通孔(52);

步骤4、在所述蚀刻阻挡层(50)上形成源极(61)与漏极(62),所述源极(61)与漏极(62)分别经由第一通孔(51)与第二通孔(52)和有源层(40)的两端相接触;

步骤5、在所述蚀刻阻挡层(50)上形成覆盖所述源极(61)与漏极(62)的钝化层(70),并在钝化层(70)上形成对应于第一储存电容电极(41)上方的第三通孔(73)以及对应于漏极(62)上方的第一过孔(841);

在所述钝化层(70)上形成平坦层(80),在平坦层(80)上形成对应于第一过孔(841)上方的第二过孔(842),所述第一过孔(841)与第二过孔(842)共同构成第四通孔(84),同时在平坦层(80)上位于第三通孔(73)的区域内形成第五通孔(85);

步骤6、在所述平坦层(80)上从下至上依次沉积第一透明导电氧化物层(911)与阳极金属层(912),对所述第一透明导电氧化物层(911)与阳极金属层(912)进行图形化处理,得到阳极预定图案(901);

在所述阳极预定图案(901)、平坦层(80)、及蚀刻阻挡层(50)上沉积第二透明导电氧化物层(913),对第二透明导电氧化物层(913)进行图形化处理,得到位于平坦层(80)上且对应于所述阳极预定图案(901)的阳极(91)以及位于所述第五通孔(85)底部的蚀刻阻挡层(50)上以及所述平坦层(80)上的第二储存电容电极(92);

所述阳极(91)包括在所述平坦层(80)上从下至上依次层叠设置的第一透明导电氧化物层(911)、阳极金属层(912)、及第二透明导电氧化物层(913),所述第二储存电容电极(92)包括设于所述蚀刻阻挡层(50)与所述平坦层(80)上的第二透明导电氧化物层(913);

所述阳极(91)经由第四通孔(84)与漏极(62)相接触,从下至上设置的所述第一储存电容电极(41)、蚀刻阻挡层(50)、所述第二储存电容电极(92)共同构成储存电容;

步骤7、在所述阳极(91)、第二储存电容电极(92)、及平坦层(80)上形成像素定义层(94),在所述像素定义层(94)上形成对应于所述阳极(91)上方的开口(941);

在所述开口(941)内的阳极(91)上形成OLED发光层(95),在所述OLED发光层(95)与像素定义层(94)上形成覆盖所述OLED发光层(95)的阴极(96)。

2.如权利要求1所述的透明OLED显示器的制作方法,其特征在于,所述衬底基板(10)包括显示区与位于显示区周边的外围区;所述步骤6中,对第二透明导电氧化物层(913)进行图形化处理后,在得到阳极(91)与第二储存电容电极(92)的同时,还得到位于平坦层(80)上且位于外围区的接线端子(93),所述接线端子(93)包括设于平坦层(80)上的第二透明导电氧化物层(913)。

3.如权利要求1所述的透明OLED显示器的制作方法,其特征在于,所述第一透明导电氧化物层(911)与第二透明导电氧化物层(913)均由透明导电氧化物材料制备,所述透明导电氧化物材料包括氧化铟锡;所述阳极金属层(912)的材料包括银;所述第一透明导电氧化物层(911)与第二透明导电氧化物层(913)的厚度均为所述阳极金属层(912)的厚度为

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