[发明专利]一种横向元胞结构的功率器件终端结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201711003546.2 | 申请日： | 2017-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN108054206A | 公开（公告）日： | 2018-05-18 |
| 发明（设计）人： | 崔磊;金锐;潘艳;赵岩;温家良;徐向前;刘双宇;周哲;朱涛;刘江;徐哲;赵哿;王耀华 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院 |
| 主分类号： | H01L29/732 | 分类号： | H01L29/732;H01L29/739;H01L29/749;H01L29/06;H01L21/331;H01L21/332 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 102209 北京市昌平*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 横向 结构 功率 器件 终端 及其 制作方法 | ||
1.一种横向元胞结构的功率器件终端结构，其特征在于，所述结构包括：
衬底(101)和在所述衬底(101)之上设置有正面掺杂区(103、104)、隔离绝缘层(107)、栅电极(105)、发射极(106)和截止环场板(109)，所述衬底(101)之下设有集电极(108)；
其中，所述栅电极(105)与所述衬底(101)电隔离；所述发射极(106)与所述正面掺杂区(103、104)欧姆接触；所述集电极(108)与所述背面掺杂区(102)欧姆接触；所述截止环场板(109)与所述正面掺杂区(103)欧姆接触；
所述衬底(101)的中心区域设有垂直元胞结构(110)；
所述衬底(101)的边缘区域设有横向元胞结构(111)。
2.如权利要求1所述的一种横向元胞结构的功率器件终端结构，其特征在于，
所述衬底(101)为n型，所述背面掺杂区(102)和所述正面掺杂区(104)为p型，所述正面掺杂区(103)为n型。
3.如权利要求1所述的一种横向元胞结构的功率器件终端结构，其特征在于，
所述衬底(101)为p型，所述背面掺杂区(102)和所述正面掺杂区(104)为n型，所述正面掺杂区(103)为p型。
4.如权利要求1所述的一种横向元胞结构的功率器件终端结构，其特征在于，
所述横向元胞结构(111)中的所述栅电极(105)及垂直型元胞结构(110)中的所述栅电极(105)同时形成。
5.如权利要求1所述的一种横向元胞结构的功率器件终端结构，其特征在于，
所述横向元胞结构(111)中的所述正面掺杂区(103)与所述垂直型元胞结构(110)中的所述正面掺杂区(103)同时形成。
6.如权利要求1所述的一种横向元胞结构的功率器件终端结构，其特征在于，
所述横向元胞结构(111)用于横向MOSFET、IGBT、超结器件或双极型晶体管结构。
7.如权利要求1所述的一种横向元胞结构的功率器件终端结构，其特征在于，
所述终端结构用于基于Si、SiC、GaN半导体材料的IGBT、MCT和BJT三端器件。
8.一种如权利要求1所述的横向元胞结构的功率器件终端结构制作方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：
(1)在衬底(101)的下表面形成终端区背面掺杂区(102)；
(2)在衬底(101)的上表面形成终端区的正面掺杂区(103、104)；
(3)在衬底(101)的上表面沉积、刻蚀依次形成隔离绝缘层(107)、栅电极(105)、发射极(106)和截止环场板(109)结构；
(4)在衬底的下表面形成集电极(108)结构。
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