[发明专利]OLED像素驱动电路及其驱动方法在审
申请号: | 201711004261.0 | 申请日: | 2017-10-24 |
公开(公告)号: | CN107516489A | 公开(公告)日: | 2017-12-26 |
发明(设计)人: | 王珊;温亦谦 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | G09G3/3208 | 分类号: | G09G3/3208 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所44265 | 代理人: | 林才桂,刘巍 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | oled 像素 驱动 电路 及其 方法 | ||
1.一种OLED像素驱动电路,其特征在于,包括:
第一薄膜晶体管(T1),其栅极连接第二节点(B),源极和漏极分别连接第三节点(C)和第四节点(D);
第二薄膜晶体管(T2),其栅极连接第一信号(S1),源极和漏极分别连接第二节点(B)和第四节点(D);
第三薄膜晶体管(T3),其栅极连接第二信号(S2),源极和漏极分别连接第一节点(A)和第二节点(B);
第四薄膜晶体管(T4),其栅极连接第三信号(S3),源极和漏极分别连接第四节点(D)和OLED的阳极;
OLED的阴极连接电源低电位(OVSS);
电容(C1),其两端分别连接第一节点(A)和第二节点(B);
第三节点(C)连接电源高电位(OVDD);
第一节点(A)连接电压输入端(Vdata/Vref)以输入数据电压(Vdata)或参考电压(Vref);
所述第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)及第四薄膜晶体管(T4)为P型晶体管。
2.如权利要求1所述的OLED像素驱动电路,其特征在于,所述第一信号(S1)、第二信号(S2)以及第三信号(S3)的时序配置为包括数据电压存储阶段,阈值电压补偿阶段,以及发光阶段。
3.如权利要求2所述的OLED像素驱动电路,其特征在于,在所述数据电压存储阶段和阈值电压补偿阶段,电压输入端(Vdata/Vref)输入数据电压(Vdata)。
4.如权利要求2所述的OLED像素驱动电路,其特征在于,在所述发光阶段,电压输入端(Vdata/Vref)输入参考电压(Vref)。
5.如权利要求2所述的OLED像素驱动电路,其特征在于,在所述数据电压存储阶段,第一信号(S1)为高电平,第二信号(S2)为低电平,第三信号(S3)为高电平。
6.如权利要求2所述的OLED像素驱动电路,其特征在于,在所述阈值电压补偿阶段,第一信号(S1)为低电平,第二信号(S2)为高电平,第三信号(S3)为高电平。
7.如权利要求2所述的OLED像素驱动电路,其特征在于,在所述发光阶段,第一信号(S1)为高电平,第二信号(S2)为高电平,第三信号(S3)为低电平。
8.一种如权利要求1所述的OLED像素驱动电路的驱动方法,其特征在于,包括:所述第一信号(S1)、第二信号(S2)以及第三信号(S3)的时序配置为包括数据电压存储阶段,阈值电压补偿阶段,以及发光阶段。
9.如权利要求8所述的OLED像素驱动电路的驱动方法,其特征在于,在所述数据电压存储阶段和阈值电压补偿阶段,电压输入端(Vdata/Vref)输入数据电压(Vdata)。
10.如权利要求8所述的OLED像素驱动电路的驱动方法,其特征在于,在所述发光阶段,电压输入端(Vdata/Vref)输入参考电压(Vref)。
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