[发明专利]图像传感器及用于形成图像传感器的方法

权利要求书

1.一种图像传感器，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底中形成有光电二极管；

聚光部，所述聚光部位于所述衬底上，其中，所述聚光部具有斜面，且所述聚光部被构造为：使得要进入所述光电二极管的周围区域的光从所述斜面进入所述聚光部；以及

填充层，所述填充层位于所述聚光部的上方并覆盖所述聚光部的表面，并且所述填充层具有滤色功能，其中，所述填充层和所述聚光部的折射率被构造为：使得将从所述斜面进入所述聚光部的光向所述光电二极管的方向偏折。

2.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，

所述聚光部与所述光电二极管在与所述衬底的主表面平行的平面图中重合，

所述斜面向下且向外倾斜，所述斜面的底边位于所述周围区域，以及所述斜面的顶边或顶点位于所述光电二极管的边界的上方或位于所述光电二极管的区域的上方。

3.根据权利要求2所述的图像传感器，其特征在于，所述填充层的折射率小于所述聚光部的折射率。

4.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，

所述聚光部与所述周围区域在与所述衬底的主表面平行的平面图中重合，

所述斜面向下且向内倾斜，所述斜面的底边位于所述光电二极管的边界处或位于所述光电二极管的区域内，以及所述斜面的顶边或顶点位于所述周围区域的上方。

5.根据权利要求4所述的图像传感器，其特征在于，所述填充层的折射率大于所述聚光部的折射率。

6.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述聚光部的折射率大于或等于所述衬底的与其接触的部分的折射率。

7.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述聚光部的表面形成有抗反射涂层。

8.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，还包括：

光学屏蔽部，所述光学屏蔽部位于所述衬底上并限定所述图像传感器中的每个感光装置的边界，

其中，所述聚光部的外沿与所述光学屏蔽部接触。

9.根据权利要求8所述的图像传感器，其特征在于，所述聚光部的高度小于或等于所述光学屏蔽部的高度。

10.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，还包括：

微透镜，所述微透镜位于所述光电二极管的上方。

11.一种用于形成图像传感器的方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底中形成有光电二极管；

在所述衬底上形成第一材料层；

将所述第一材料层图案化以形成聚光部，其中，所述聚光部具有斜面，且所述聚光部被构造为：使得要进入所述光电二极管的周围区域的光从所述斜面进入所述聚光部；以及

在所述聚光部上形成填充层，所述填充层覆盖所述聚光部的表面并具有滤色功能，其中，所述填充层和所述聚光部的折射率被构造为：使得将从所述斜面进入所述聚光部的光向所述光电二极管的方向偏折。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述将所述第一材料层图案化以形成聚光部是通过刻蚀处理进行的。

13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，

所述聚光部与所述光电二极管在与所述衬底的主表面平行的平面图中重合，

所述斜面向下且向外倾斜，所述斜面的底边位于所述周围区域，以及所述斜面的顶边或顶点位于所述光电二极管的边界的上方或位于所述光电二极管的区域的上方。

14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述填充层的折射率小于所述第一材料层的折射率。