[发明专利]一种用于宽禁带半导体功率器件的测试装置

权利要求书

1.一种宽禁带半导体功率器件测试装置，该测试装置包括宽禁带半导体功率器件输入接口装置、宽禁带半导体功率器件输出接口装置、电源供给装置、数据采集装置、数据存储装置、数据处理装置和数据显示装置，其特征在于：所述数据采集采集装置采集同一工况下宽禁带半导体功率器件的电压、电阻和电感参数，并将上述参数存储到数据存储装置形成待测试宽禁带半导体功率器件参数系列。

2.根据权利要求1所述的一种宽禁带半导体功率器件测试装置，其特征在于：所述数据处理装置具有虚拟等效电路模块和寄生参数模块，所述的虚拟等效电路模块能够模拟宽禁带半导体功率器件所要接入的电路，所述的寄生参数模块能够模拟待测试宽禁带半导体功率器件所要接入的电路所产生的寄生电容与寄生电感。

3.根据权利要求1所述的一种宽禁带半导体功率器件测试装置，其特征在于：所述数据采集装置采集的参数包括：开通电压、门极电感、门-源电压、关断电压、漏极电感、门-漏电压、开通电流、源极电感、漏-源电压、关断电流、门-源电容、跨导、导通电阻、门-漏电容、工作频率、门限电压、漏-源电容、门-源耦合电感、门电压、门-源二极管、门-漏耦合电感、源-漏二极管、开通门电阻、漏-源耦合电感、关断门电阻、输入电容、门-源二极管正向电压、输出电容、门-源稳态电压、导通有效电流。

4.根据权利要求1所述的一种宽禁带半导体功率器件测试装置，其特征在于：所述数据显示装置显示的参数包括：门-源电压、门极电感电压、通道电流、门-漏电压、漏极电感电压、门-漏电容充电电流、漏-源电压、源极电感电压、漏-源电流、电流上升阶段损耗、电压上升阶段损耗、正向导通损耗、电压下降阶段损耗、电流下降阶段损耗、反向导通损耗、反向导通压降、反向导通电流、反向导通时长、门-源电流、开通损耗、关断损耗。

5.根据权利要求2所述的一种宽禁带半导体功率器件测试装置，其特征在于：所述数据处理装置还包括具有曲线描绘仪。