[发明专利]一种用于宽禁带半导体功率器件的测试方法在审
| 申请号： | 201711004816.1 | 申请日： | 2017-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN107861042A | 公开（公告）日： | 2018-03-30 |
| 发明（设计）人： | 王文博 | 申请（专利权）人： | 北京国联万众半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100083 北京市顺义*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 宽禁带 半导体 功率 器件 测试 方法 | ||
1.一种宽禁带半导体功率器件测试方法，该测试方法包括以下步骤：
S1：开通过程性能测试；
S2：关断过程性能测试；
S3：导通过程性能测试；
S4：判断开通过程宽禁带半导体功率器件的损耗和关断过程宽禁带半导体功率器件的损耗的大小，当开通损耗大于关断损耗时，该器件适合用于软开通，当开通损耗小于于关断损耗时，该器件适合用于软关断。
2.根据权利要求1所述的一种宽禁带半导体功率器件测试方法，其特征在于：所述S1还包括以下步骤：
S11：开通延时，门电压上电，门回路电流向输入电容充电。门-源电压由零升至门限电压，本步骤结束；
S12：通道电流升高，宽禁带半导体器件的通道电流由0上升，漏-源电压由关断电压降低，当通道电流升高至开通电流时，本阶段结束，并记录此时漏-源电压值和本步骤持续时间；
S13：漏-源电压降低，本阶段为阶段S13的延续，漏-源电压降低至导通电阻开通电流，直到门源电压升高至稳态。
3.根据权利要求1所述的一种宽禁带半导体功率器件测试方法，其特征在于：所述S2还包括以下步骤：
S21：门-源二极管导通状态；
S22：门-源二极管关断状态；
S23：门源电流由门-源二极管正向电压降低；
S24：漏-源电压上升，记录门-漏电容充电电流漏-源电容充电电流、通道电流、其中门-漏电容充电电流即为门极电流，当漏-源电压升高至Voff时，本步骤结束；
S25：通道电流下降，通道电流降为0时，本步骤结束，记录步骤S21～S25为通道电流下降时间。
4.根据权利要求1所述的一种宽禁带半导体功率器件测试方法，其特征在于：所述S3还包括以下步骤：
S31：测试正向导通损耗；
S32：测试反向导通损耗。
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