[发明专利]一种正装结构的LED芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种正装结构的LED芯片，其特征在于：包括衬底，所述衬底上表面设置有外延层，所述外延层包括由下至上依次设置的缓冲层、N型GaN层、多量子阱层和P型GaN层，所述P型GaN上设置有ITO导电层，在ITO导电层上设置有导电金属作为P电极；所述外延层通过刻蚀P型GaN层到达N型GaN层形成低台阶，所述低台阶上保留有一凸起的GaN小岛，GaN小岛上设置有N电极。

2.根据权利要求1所述的一种正装结构的LED芯片，其特征在于：所述GaN小岛上端窄下端宽，侧面为一斜面。

3.根据权利要求2所述的一种正装结构的LED芯片，其特征在于：所述斜面的坡度范围为72°±5°。

4.根据权利要求1－3任一所述的一种正装结构的LED芯片，其特征在于：所述N电极完全覆盖GaN小岛。

5.根据权利要求4所述的一种正装结构的LED芯片，其特征在于：所述GaN小岛的高度与P型GaN层的上表面高度相同。

6.根据权利要求5所述的一种正装结构的LED芯片，其特征在于：所述N电极的上表面与P电极的上表面持平。

7.一种权利要求1－6任一所述正装结构的LED芯片的制作方法，其特征在于：包括以下步骤，

S1：外延表面清洗，蒸镀ITO导电层，做MESA光刻，做出GaN小岛图形；

S2：ICP蚀刻，之后ITO光刻，合金，生长二氧化硅；

S3：做PAD光刻，露出电极区域，镀膜做电极，反剥离，退火，芯片制作完成。

8.根据权利要求7所述的一种正装结构的LED芯片的实现方法，其特征在于：所述步骤S1，在做MESA光刻时，增加曝光，使线条变粗，这样斜面的坡度会变小，电极粘附性稳定性增加，斜面坡度为72°±5°。

9.根据权利要求7所述的一种正装结构的LED芯片的实现方法，其特征在于：所述步骤S2，在做ITO光刻时将GaN小岛上表面的ITO导电层全部腐蚀掉。

10.根据权利要求7所述的一种正装结构的LED芯片的实现方法，其特征在于：所述步骤S2，做电极时N电极的上表面与P电极的上表面持平，且至少高出ITO导电层1um，保证焊线可靠性。