[发明专利]一种薄膜晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括：

栅极(2)；

半导体层(4)；

源极和漏极(5)；以及，

沟道区(7)，位于所述源极和漏极(5)之间；

绝缘层(6)，位于所述源极和漏极(5)上方；

其中，所述源极和漏极(5)为多层结构，所述源极和漏极(5)均至少包括位于底部的下钛层(51)、位于顶部的上钛层(53)、以及位于所述下钛层(51)与上钛层(53)之间的铜层(52)，所述下钛层(51)与所述半导体层(4)接触，所述铜层(52)与所述半导体层(4)和绝缘层(6)均不接触。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述上钛层(53)还包括第一部分，所述第一部分设置于沟道区(7)的侧面且覆盖所述铜层(52)的一端，且所述第一部分隔离所述铜层(52)和所述绝缘层(6)。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述上钛层(53)还包括第二部分，所述第二部分覆盖所述铜层(52)的另一端。

4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述下钛层(51)和上钛层(53)在所述第一部分和第二部分接触，所述上钛层(53)和下钛层(51)合围包裹所述铜层(52)。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源极的铜层(52)和漏极的铜层(52)之间的距离大于所述源极的上钛层(53)和漏极的上钛层(53)之间的距离。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括覆盖所述栅极(2)的栅极绝缘膜(3)，所述半导体层(4)位于所述栅极绝缘膜(3)的上方。

7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极绝缘膜(3)是至少包括SiO_X膜层和SiN_X膜层的组合膜层，其中，所述SiN_X膜层位于所述栅极(2)的上方，所述SiO_X膜层位于SiN_X膜层的上方。

8.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述半导体层(4)为IGZO半导体层。

9.一种薄膜晶体管的制造方法，该方法包括：

第一步：形成栅极(2)；

第二步：形成覆于所述栅极(2)上的栅极绝缘膜(3)；

第三步：形成位于所述栅极绝缘膜(3)上方的半导体层(4)以及源极和漏极(5)，其中，所述源极和漏极(5)为多层结构，所述源极和漏极(5)均至少包括位于底部的下钛层(51)、位于顶部的上钛层(53)、以及位于所述下钛层(51)与上钛层(53)之间的铜层(52)，并在源极和漏极之间形成沟道区(7)，所述下钛层(51)与所述半导体层(4)接触，所述铜层(52)与半导体层(4)不接触；

第四步：形成位于所述源极和漏极(5)上的绝缘层(6)，所述绝缘层位于所述沟道区(7)内的部分与所述上钛层(53)接触，且所述部分与所述铜层(52)不接触。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述第三步的具体步骤为：

沉积由金属钛形成的下钛层(51)和由金属铜形成的铜层(52)；

在所述铜层(52)上涂布第一光阻层(81)，对所述第一光阻层(81)进行曝光，并对所述铜层(52)进行刻蚀，其中，所述铜层(52)的刻蚀长度大于所述第一光阻层(81)的曝光长度，移除第一光阻层；

沉积由金属钛形成的上钛层(53)；

在所述上钛层(53)上涂布第二光阻层(82)，对所述第二光阻层(82)进行曝光，并对位于所述第二光阻层(82)下方的上钛层(53)和下钛层(52)一并进行刻蚀处理，形成源极、漏极以及沟道区(7)，移除第二光阻层(82)。