[发明专利]一种缩短无患子出苗时间的种子处理方法在审
申请号: | 201711006585.8 | 申请日: | 2017-10-25 |
公开(公告)号: | CN107980270A | 公开(公告)日: | 2018-05-04 |
发明(设计)人: | 向先荣;沐贤志 | 申请(专利权)人: | 巢湖市年晟农业生态有限公司 |
主分类号: | A01C1/00 | 分类号: | A01C1/00 |
代理公司: | 合肥广源知识产权代理事务所(普通合伙)34129 | 代理人: | 罗沪光 |
地址: | 238000 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 缩短 无患子 出苗 时间 种子 处理 方法 | ||
技术领域
本发明属于苗木培育技术领域,尤其是一种缩短无患子出苗时间的种子处理方法。
背景技术
无患子,树形优美,抗虫抗害能力强,为园林观赏、绿化造林的首选树种,而且因其根系发达,对二氧化碳及二氧化硫抗性较强,所以也是优良的耐干旱贫瘠、抗污树种,无
患子也是我国传统中药材,在开发生物洗涤剂及天然化妆品等方面应用广泛,同时无患子正作为生物质原料树种受到人们越来越多的关注;但是无患子播种育苗的方法,不但发芽出苗率低,且出苗时间长,从而大大影响了无患子的育苗质量,延长了无患子的育苗时间,所以应该发明一种能够有效解决以上问题的方法,从而来提高无患子的育苗质量和育苗量,缩短其育苗时间。
发明内容
针对上述问题,本发明旨在提供一种缩短无患子出苗时间的种子处理方法。
本发明通过以下技术方案实现:
一种缩短无患子出苗时间的种子处理方法,具体方法如下:
(1)将颗粒饱满、无虫眼且无霉烂的无患子种子浸没于质量分数为0.7%~0.8%的苯硼酸水溶液中浸泡25~30min,滤液取出,微波干燥,得一次处理无患子种子;
(2)将一次处理无患子种子浸没于浸种剂中浸泡85~90min,滤剂捞出,磁场磁化处理,得二次处理无患子种子;
所述的浸种剂,由以下重量份的原料制成:黄腐酸钾0.47~0.51份、没食子酸0.14~0.18份、大麦芽碱0.21~0.25份、壳寡糖0.24~0.28份、维生素A0.58~0.64份、水360~380份;
(3)将二次处理无患子种子置入温度为-12~-10℃的条件下恒温冷冻45~50min,取出,置入温度为43~45℃的条件下干燥至含水率为16%~18%,得待播无患子种子。
作为发明进一步的方案:所述的微波干燥,在温度为46~48℃、频率为770~790MHz的条件下微波干燥处理8~9min,在温度为78~80℃、频率为1240~1260MHz的条件下微波干燥处理7~8min,在温度为57~59℃、频率为950~970MHz的条件下微波干燥处理11~12min。
作为发明进一步的方案:所述的磁场磁化处理,在磁场强度为0.3~0.4T的条件下磁化处理210~220s,在磁场强度为2.1~2.3T的条件下磁化处理150~160s,在磁场强度为0.9~1.1T的条件下磁化处理250~260s。
本发明的有益效果:本发明提供的一种缩短无患子出苗时间的种子处理方法,不但能够有效软化种皮,增强其吸收营养的能力,有效打破和消除种子的休眠,增强种子细胞酶活性,增强呼吸作用能力,增强营养物质的吸收转化能力,从而有效促进其快速发芽出苗,出苗整齐度高,而且有效抑制种子营养物质的流失,并额外补充营养,有效促进种子的细胞分裂能力,有效缩短其出苗时间,提高其出苗率,促进出苗后幼苗根系的伸长和生长,使其粗壮生长,有效刺激地上部分的生长,促使苗叶青绿茂盛生长,有效增加其光合作用效率,从而使得苗木健壮生长。
具体实施方式
下面用具体实施例说明本发明,但并不是对本发明的限制。
实施例1
本发明实施例中,一种缩短无患子出苗时间的种子处理方法,具体方法如下:
(1)将颗粒饱满、无虫眼且无霉烂的无患子种子浸没于质量分数为0.7%的苯硼酸水溶液中浸泡25min,滤液取出,微波干燥,得一次处理无患子种子;
(2)将一次处理无患子种子浸没于浸种剂中浸泡85min,滤剂捞出,磁场磁化处理,得二次处理无患子种子;
所述的浸种剂,由以下重量份的原料制成:黄腐酸钾0.47份、没食子酸0.14份、大麦芽碱0.21份、壳寡糖0.24份、维生素A0.58份、水360份;
(3)将二次处理无患子种子置入温度为-12℃的条件下恒温冷冻45min,取出,置入温度为43℃的条件下干燥至含水率为16%~18%,得待播无患子种子。
作为发明进一步的方案:所述的微波干燥,在温度为46℃、频率为770MHz的条件下微波干燥处理8min,在温度为78℃、频率为1240MHz的条件下微波干燥处理7min,在温度为57℃、频率为950MHz的条件下微波干燥处理11min。
作为发明进一步的方案:所述的磁场磁化处理,在磁场强度为0.3T的条件下磁化处理210s,在磁场强度为2.1T的条件下磁化处理150s,在磁场强度为0.9T的条件下磁化处理250s。
实施例2
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