[发明专利]提高X射线反射镜薄膜均匀性和生产效率的方法及装置

权利要求书

1.一种提高X射线反射镜薄膜均匀性和生产效率的方法，其特征在于，该方法利用线型磁控溅射靶枪进行反射镜镀膜，通过在靶枪的溅射方向设置掩膜版调节反射镜上薄膜长度方向的膜厚均匀性，同时控制反射镜经过靶枪的速度调节反射镜的膜厚及反射镜上薄膜宽度方向的均匀性。

2.根据权利要求1所述的提高X射线反射镜薄膜均匀性和生产效率的方法，其特征在于，所述掩膜版遮盖所述靶枪的靶面，且使靶面在不同位置处具有不同宽度的未遮掩面。

3.根据权利要求2所述的提高X射线反射镜薄膜均匀性和生产效率的方法，其特征在于，不同位置的所述未遮掩面的宽度与该位置处的溅射速率成反比。

4.根据权利要求1所述的提高X射线反射镜薄膜均匀性和生产效率的方法，其特征在于，所述反射镜经过靶枪的速度变化规律为：从进靶到出靶的过程中速度先增大后减小。

5.一种实现如权利要求1所述的提高X射线反射镜薄膜均匀性和生产效率的方法的装置，其特征在于，包括靶枪、掩膜版、样品架和电机，所述掩膜版设置于靶枪与样品架之间，且固定于所述靶枪上，所述样品架与靶枪间隔设置，所述电机与样品架连接，控制样品架围绕所述靶枪旋转，所述样品架设有多个。

6.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述掩膜版与靶枪的距离为30-50mm。

7.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述掩膜版包括间隔设置的一对圆弧状长条薄金属板，间隔处形成的空间与所述未遮掩面相对应。

8.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述样品架与靶枪间的距离为7-12cm。

9.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述样品架上设有反射镜基底。

10.根据权利要求9所述的装置，其特征在于，所述反射镜基底为长度方向200-500mm，宽度方向30-60mm的长条形单晶硅或玻璃基底。