[发明专利]薄膜及其制备方法与QLED器件

权利要求书

1.一种薄膜，其特征在于，包括叠层设置的第一介质组成的第一介质层、第一金属组成的第一金属层、第二金属与第二介质形成的渐变层；

自靠近第一金属层向远离第一金属层的方向上，所述第二介质的质量浓度由低到高；

所述第一金属为纳米Au、纳米Ag、纳米Cu、纳米Fe、纳米Ni、纳米Pt中的一种或多种，所述第二金属为纳米Au、纳米Ag、纳米Cu、纳米Fe、纳米Ni、纳米Pt中的一种或多种；

所述第一介质、第二介质均为N型金属氧化物或所述第一介质、第二介质均为P型金属氧化物。

2.根据权利要求1所述的薄膜，其特征在于，所述N型金属氧化物为氧化钛、氧化锌和掺杂氧化锌中的一种或多种，所述P型金属氧化物为氧化镍、掺杂氧化镍、WO_x、MoO_x中的一种或多种。

3.一种薄膜，其特征在于，包括叠层设置的第一金属与第一介质形成的第一渐变层、第二金属与第二介质形成的第二渐变层；

所述第一渐变层中，自靠近第二渐变层的位置向远离第二渐变层的方向上，所述第一介质的质量浓度由低到高；

所述第二渐变层中，自靠近第一渐变层的位置向远离第一渐变层的方向上，所述第二介质的质量浓度由低到高；

所述第一金属为纳米Au、纳米Ag、纳米Cu、纳米Fe、纳米Ni、纳米Pt中的一种或多种，所述第二金属为纳米Au、纳米Ag、纳米Cu、纳米Fe、纳米Ni、纳米Pt中的一种或多种；

所述第一介质、第二介质均为为N型金属氧化物或所述第一介质、第二介质均为P型金属氧化物。

4.根据权利要求3所述的薄膜，其特征在于，所述N型金属氧化物为氧化钛、氧化锌和掺杂氧化锌中的一种或多种；所述P型金属氧化物为氧化镍、掺杂氧化镍、WO_x、MoO_x中的一种或多种。

5.一种QLED器件，其特征在于，所述QLED器件包括叠层设置的阳极、如权利要求1-2任一项所述薄膜、量子点发光层及阴极，所述薄膜中的第一介质和第二介质均为P型金属氧化物；所述薄膜中的渐变层与所述量子点发光层叠合。

6.一种QLED器件，其特征在于，所述QLED器件包括叠层设置的阳极、如权利要求3-4任一项所述薄膜、量子点发光层及阴极，所述薄膜中的第一介质和第二介质均为P型金属氧化物；所述薄膜中的第二渐变层与所述量子点发光层叠合。

7.一种QLED器件，其特征在于，所述QLED器件包括叠层设置的阳极、量子点发光层、如权利要求1-2任一项所述薄膜及阴极，所述薄膜中的第一介质和第二介质均为N型金属氧化物；所述薄膜中的渐变层与所述量子点发光层叠合。

8.一种QLED器件，其特征在于，所述QLED器件包括叠层设置的阳极、量子点发光层、如权利要求3-4任一项所述薄膜及阴极，所述薄膜中的第一介质和第二介质均为N型金属氧化物；所述薄膜中的第二渐变层与所述量子点发光层叠合。

9.一种薄膜的制备方法，其特征在于，包括步骤：

制备第一介质层；

在第一介质层上制备第一金属层；

在第一金属层上涂覆第二介质和第二金属的共混液，加热条件下在第一金属层上制备得到第二金属和第二介质形成的渐变层；

自靠近第一金属层的位置向远离第一金属层的方向，所述渐变层中的第二介质的质量浓度由低到高；

所述第一金属层所用材料为纳米Au、纳米Ag、纳米Cu、纳米Fe、纳米Ni、纳米Pt中的一种或多种，所述第二金属层所用材料为纳米Au、纳米Ag、纳米Cu、纳米Fe、纳米Ni、纳米Pt中的一种或多种；

所述第一介质、第二介质均为为N型金属氧化物或所述第一介质、第二介质均为P型金属氧化物。