[发明专利]一种QLED器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201711007092.6 | 申请日： | 2017-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN109713141B | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 向超宇;邓天旸;李乐;张滔;辛征航;张东华 | 申请（专利权）人： | TCL科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文;刘文求 |
| 地址： | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 qled 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种QLED器件，包括阳极、量子点发光层及阴极，所述量子点发光层设置在所述阳极与所述阴极之间，其特征在于，所述量子点发光层和所述阴极之间包括薄膜；
所述薄膜由N型半导体和纳米金属颗粒组成；
沿所述薄膜的厚度方向，所述N型半导体的质量浓度由高渐变到低；
所述纳米金属颗粒为纳米Au、纳米Ag、纳米Cu、纳米Fe、纳米Ni、纳米Pt中的至少一种。
2.根据权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述薄膜按照从所述量子点发光层往所述阴极方向上，所述N型半导体的质量浓度从100%渐变到0%。
3.根据权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述薄膜与所述量子点发光层之间包括电子传输层。
4.根据权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述N型半导体为氧化钛、氧化锌和掺杂氧化锌中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述薄膜的厚度为5-100nm。
6.根据权利要求3所述的QLED器件，其特征在于，所述电子传输层的厚度为1-50nm。
7.根据权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，沿所述薄膜的厚度方向，所述N型半导体的质量浓度由高浓度线性渐变或指数渐变到低浓度。
8.一种QLED器件的制备方法，其特征在于，包括步骤：
制备阳极；
在阳极上制备量子点发光层；
在量子点发光层上制备薄膜；
在薄膜上制备阴极，得到QLED器件；
所述薄膜由N型半导体和纳米金属颗粒组成；
沿所述薄膜的厚度方向，所述N型半导体的质量浓度由高渐变到低；
所述纳米金属颗粒为纳米Au、纳米Ag、纳米Cu、纳米Fe、纳米Ni、纳米Pt中的至少一种。
9.根据权利要求8所述的QLED器件的制备方法，其特征在于，所述薄膜的制备方法包括步骤：采用真空方法，控制N型半导体的沉积速率从大渐变到小，同时控制纳米金属颗粒的沉积速率从小渐变到大，形成N型半导体的质量浓度由高渐变到低的薄膜。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
