[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，具有：

半导体芯片，具有绝缘膜，该绝缘膜形成于第一主面，且具备将第一接合面露出的第一开口部和将第二接合面露出的第二开口部；

第一源极丝线，与所述半导体芯片的所述第一接合面接合；

第二源极丝线，与所述半导体芯片的所述第二接合面接合；及

密封体，以与所述半导体芯片的所述第一接合面及所述第二接合面相接的方式将所述半导体芯片、所述第一源极丝线、所述第二源极丝线密封，

所述第一接合面及所述第二接合面由金属材料构成，

所述密封体由树脂材料构成，

所述第一源极丝线具有：接合于所述第一接合面的第一连接部；接合于所述第一接合面的第二连接部；及在俯视观察的第一方向上位于所述第一连接部与所述第二连接部之间，且与所述第一接合面分离的第一环部，

所述第二源极丝线具有：接合于所述第二接合面的第三连接部；接合于所述第二接合面的第四连接部；及在俯视观察下位于所述第三连接部与所述第四连接部之间，且与所述第二接合面分离的第二环部，

在俯视观察下，所述第一环部具有沿所述第一方向从所述第一连接部延伸至所述第二连接部的第一边和所述第一边的相反侧的第二边，

在俯视观察下，所述第二环部具有沿所述第一方向从所述第三连接部延伸至所述第四连接部的第三边和所述第三边的相反侧的第四边，

在俯视观察下，以使所述第一环部的所述第二边与所述第二环部的所述第三边相互相邻的方式，沿与所述第一方向交叉的第二方向配置所述第一开口部及所述第二开口部，

在俯视观察下，所述绝缘膜中夹在所述第一源极丝线与所述第二源极丝线之间的第一区域的宽度比所述第一环部的宽度大，

在俯视观察下，所述第一区域的宽度比所述第一开口部的开口宽度及所述第二开口部的开口宽度的各个小，

所述第一区域的宽度、所述第一环部的宽度、所述第一开口部的开口宽度及所述第二开口部的开口宽度是所述第二方向上的长度。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述第一接合面是形成于所述第一主面且由所述绝缘膜覆盖的第一电极的第一部分，

所述第二接合面是形成于所述第一主面且由所述绝缘膜覆盖的所述第一电极的第二部分。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述第一接合面是形成于所述第一主面且由所述绝缘膜覆盖的第一电极的第一部分，

所述第二接合面是形成于所述第一主面且由所述绝缘膜覆盖的第二电极的第一部分。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

在所述第二方向上，所述第二源极丝线的所述第三连接部的宽度比所述绝缘膜的所述第一区域的宽度小且与所述第一源极丝线的所述第一连接部的宽度不同。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

在所述第二方向上，所述第二源极丝线的所述第三连接部的宽度与所述第一源极丝线的所述第一连接部的宽度相等。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

在所述第二方向上，所述第一接合面中夹在所述第一源极丝线与所述第一接合面的沿所述第一方向的第二边之间的区域的最大宽度比所述绝缘膜的所述第一区域的宽度小。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

在所述第二方向上，所述第一接合面中夹在所述第一源极丝线与所述第一接合面的沿所述第一方向的第二边之间的区域的最大宽度及夹在所述第一源极丝线与所述第一接合面的沿所述第一方向且所述第二边的相反侧的第一边之间的区域的最大宽度的合计值比所述绝缘膜的所述第一区域的宽度小。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

在所述第二方向上，夹在所述第一源极丝线与所述第二源极丝线之间的区域中的夹在所述第一源极丝线与所述第一接合面的沿所述第一方向的第二边之间的区域的最大宽度及夹在所述第二源极丝线与所述第二接合面的沿所述第一方向且所述第二边的相反侧的第一边之间的区域的最大宽度的合计值比所述绝缘膜的所述第一区域的宽度小。