[发明专利]碳化硅陶瓷及其制备方法和散热片及其应用

权利要求书

1.一种碳化硅陶瓷的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

将原料混合形成混合料，其中，按照质量百分含量计，所述原料包括70％～90％的碳化硅、5％～15％的助烧剂和5％～20％的填充剂，所述助烧剂选自二氧化硅、氧化钾、氧化钠、滑石、钾长石及钠长石中的至少一种，所述填充剂选自铝粉、铜粉、铁粉及氧化锌中的至少一种，且所述碳化硅的中位粒径为5微米～30微米，所述助烧剂的中位粒径为10微米～20微米，所述填充剂的中位粒径为5微米～10微米；

将所述混合料进行干压成型，得到生坯；及

将所述生坯烧结，得到碳化硅陶瓷。

2.根据权利要求1所述的碳化硅陶瓷的制备方法，其特征在于，所述将原料混合形成混合料的步骤具体为：将分散剂和水混合，形成预混液；将所述原料与所述预混液球磨混合，得到所述混合料。

3.根据权利要求2所述的碳化硅陶瓷的制备方法，其特征在于，所述水与所述原料的质量比为60:100～100:100，所述分散剂与所述原料的质量比为0.1:100～1:100；所述将所述混合料成型的步骤之前，还包括将所述混合料进行喷雾造粒的步骤。

4.根据权利要求2所述的碳化硅陶瓷的制备方法，其特征在于，所述分散剂选自聚甲基丙烯酸铵、聚乙烯亚胺及聚乙二醇中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的碳化硅陶瓷的制备方法，其特征在于，成型压力为10MPa～30MPa。

6.根据权利要求1所述的碳化硅陶瓷的制备方法，其特征在于，将所述生坯烧结的步骤为：在保护气体的氛围下，将所述生坯以10℃/小时～60℃/小时的速度升温至200℃～500℃，然后以100℃/小时～200℃/小时的速度升温至600℃～1000℃，再以5℃/小时～30℃/小时的速度升温至1300℃～1550℃，并保温1小时～4小时。

7.一种如权利要求1～6任意一项所述的碳化硅陶瓷的制备方法制备得到的碳化硅陶瓷。

8.一种散热片，其特征在于，由权利要求7所述的碳化硅陶瓷加工处理得到。

9.如权利要求8所述的散热片在电脑、电视机或功率放大器中的应用。