[发明专利]功率半导体器件终止结构

说明书

一种功率半导体器件，包括：半导体本体，耦合到功率半导体器件的第一负载端子和第二负载端子并且包括漂移区，漂移区具有第一导电类型的掺杂剂；有源区，具有至少一个功率单元，其至少部分地延伸到半导体本体中并与第一负载端子电连接并且包括所述漂移区的一部分，所述至少一个功率单元被配置为在所述端子之间传导负载电流并阻断施加在所述端子之间的阻断电压；边缘，其横向地终止半导体本体；以及非有源终止结构，布置在边缘和有源区中间。终止结构包括：在半导体本体中实现的至少一个掺杂半导体区；安装在布置在半导体本体的表面上面的绝缘体块上的导体结构；以及将导体结构与第一负载端子的电位电耦合的欧姆路径，欧姆路径布置在表面上面。

技术领域

本说明书涉及功率半导体器件的实施例和处理功率半导体器件的实施例。特别地，本说明书涉及功率半导体器件的终止结构的实施例和处理功率半导体器件的终止结构的方法的实施例。

背景技术

在汽车、用户和工业应用中的现代装置的许多功能诸如转换电能和驱动电动机或电机依赖功率半导体器件。例如，绝缘栅双极型晶体管（IGBT）、金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和二极管（举几个示例）已被用于各种应用，所述各种应用包括但不限于电源和功率变换器中的开关。

功率半导体器件通常包括被配置为沿着器件的两个负载端子之间的负载电流路径传导负载电流的半导体本体。进一步地，可以借助于绝缘的电极（有时称为栅极电极）来控制负载电流路径。例如，在从例如驱动器单元接收到相应的控制信号时，控制电极可以将功率半导体器件设置在导通状态和阻断状态之一中。

进一步地，为了传导负载电流，功率半导体器件可以包括可以布置在功率半导体器件的所谓有源区中的一个或多个功率单元。功率半导体器件可以由边缘横向限制，并且在边缘和包括一个或多个功率单元的有源区之间，可以布置有终止结构。这样的终止结构可以用于影响半导体本体内的电场的路线的目的，例如以便确保功率半导体器件的可靠阻断能力。终止结构可以包括布置在半导体本体内的一个或多个部件，以及还有布置在功率半导体器件的表面上面的一个或多个部件。

发明内容

根据实施例，一种功率半导体器件包括：半导体本体，其耦合到功率半导体器件的第一负载端子和第二负载端子，并且包括漂移区，漂移区具有第一导电类型的掺杂剂；有源区，其具有至少一个功率单元，该至少一个功率单元至少部分地延伸到半导体本体中并与第一负载端子电连接，并且包括所述漂移区的一部分，该至少一个功率单元被配置为在所述端子之间传导负载电流，并且阻断施加在所述端子之间的阻断电压；边缘，其横向地终止半导体本体；以及非有源终止结构，其布置在边缘和有源区中间。终止结构包括：在半导体本体中实现的至少一个掺杂半导体区，其中，该至少一个掺杂半导体区包括：（i）具有第二导电类型的掺杂剂的第一阱，第一阱电连接到第一负载端子并且与其横向重叠，以及（ii）具有第二导电类型的掺杂剂的第二阱，其中，第二阱中的掺杂剂浓度在横向方向上变化；导体结构，其安装在布置在半导体本体的表面上面的绝缘体块上，其中，导体结构包括彼此横向相邻布置的导体，其中第二阱的第一区段与所述导体中的第一导体横向重叠，并且第二阱的第二区段与所述导体中的第二导体横向重叠；以及欧姆路径，其将导体结构与第一负载端子的电位电耦合，欧姆路径布置在表面上面。