[发明专利]显示装置及其制作方法有效
申请号: | 201711008335.8 | 申请日: | 2017-10-25 |
公开(公告)号: | CN107768411B | 公开(公告)日: | 2020-09-01 |
发明(设计)人: | 乔艳冰 | 申请(专利权)人: | 昆山龙腾光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 | 代理人: | 杨波 |
地址: | 215301 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 及其 制作方法 | ||
1.一种显示装置,其特征在于,包括有源衬底和设置在该有源衬底上的阳极、发光层(16)和阴极,该有源衬底的表面设有多个凹槽(101),该发光层(16)包括第一发光部(162)和第二发光部(163),该第一发光部(162)设置于该有源衬底的表面,该第二发光部(163)设置于该有源衬底的凹槽(101)内,该有源衬底包括阵列基板(122)和绝缘层,该绝缘层设置在该阵列基板(122)上,该凹槽(101)设置在该绝缘层上,该第一发光部(162)设置于该绝缘层的表面,该第二发光部(163)设置于该绝缘层的凹槽(101)内,该发光层由空穴注入层、空穴传输层、有机层、电子传输层、电子注入层依次堆叠形成,该空穴注入层的一部分覆盖在该阳极的表面上,该空穴注入层的另一部分延伸至各该凹槽(101)中,该阴极的一部分覆盖在该电子注入层的表面上,该阴极的另一部分延伸至各该凹槽中,该部分该阴极贴着该电子注入层的侧面和该电子注入层的底面设置;
当该阳极由透明导电材料制成,该阴极由不透明的金属材料制成时,该第一发光部(162)被不透明的该阴极包覆,该第二发光部(163)没有被该阴极包覆;
当该阳极由不透明金属材料制成,该阴极由透明导电材料制成,该第二发光部(163)被不透明的该阳极包覆,该第一发光部(162)没有被该阳极包覆。
2.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,该凹槽(101)的深度大于该第二发光部(163)的厚度。
3.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,该阵列基板(122)包括多条扫描线(123)和多条数据线(124),各该扫描线(123)与各该数据线(124)交叉限定出多个子像素单元,各该子像素单元包括驱动电路,该驱动电路包括第一有机发光二极管(126)和第二有机发光二极管(127),该第一有机发光二极管(126)与该第二有机发光二极管(127)并联连接在该驱动电路中,该第一有机发光二极管(126)包括第一发光部(162)和该第一发光部(162)两侧的元件,该第二有机发光二极管(127)包括第二发光部(163)和该第二发光部(163)两侧的元件。
4.一种显示装置的制作方法,其特征在于,该制作方法的步骤包括:
制作有源衬底,并在该有源衬底的表面制作多个凹槽(101);以及
在该有源衬底上依次制作阳极、发光层(16)和阴极,其中,该发光层(16)包括第一发光部(162)和第二发光部(163),该第一发光部(162)设置于该有源衬底的表面,该第二发光部(163)设置于该有源衬底的凹槽(101)内;制作该有源衬底的步骤包括:
制作阵列基板(122);
在该阵列基板(122)上涂布绝缘层;以及
利用压印或光刻工艺在该绝缘层上制作多个凹槽(101),该第一发光部(162)设置于该绝缘层的表面,该第二发光部(163)设置于该绝缘层的凹槽(101)内;该发光层由空穴注入层、空穴传输层、有机层、电子传输层、电子注入层依次堆叠形成,该空穴注入层的一部分覆盖在该阳极的表面上,该空穴注入层的另一部分延伸至各该凹槽(101)中,该阴极的一部分覆盖在该电子注入层的表面上,该阴极的另一部分延伸至各该凹槽中,该部分该阴极贴着该电子注入层的侧面和该电子注入层的底面设置;
当利用透明导电材料在该有源衬底上制作阳极,利用金属材料在该发光层(16)上制作阴极时,该第一发光部(162)被不透明的该阴极包覆,该第二发光部(163)没有被该阴极包覆;
当利用透明导电材料在该有源衬底上制作阴极,利用金属材料在该发光层(16)上制作阳极时,该第二发光部(163)被不透明的该阳极包覆,该第一发光部(162)没有被该阳极包覆。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的