[发明专利]硬掩模用组合物在审
申请号: | 201711008544.2 | 申请日: | 2017-10-25 |
公开(公告)号: | CN108089405A | 公开(公告)日: | 2018-05-29 |
发明(设计)人: | 梁敦植;梁振锡;朴根永;崔汉永 | 申请(专利权)人: | 东友精细化工有限公司 |
主分类号: | G03F7/11 | 分类号: | G03F7/11 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 金鲜英;宋海花 |
地址: | 韩国全*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 硬掩模 交联剂 耐热性 芳香族化合物 聚合物 涂布性 溶剂 | ||
本发明提供一种硬掩模用组合物,硬掩模用组合物包含芳香族化合物的聚合物、包含通式1所表示的化合物的交联剂、和溶剂。由于该交联剂而能够形成耐热性和涂布性同时被提高的硬掩模,通式1中,n为1~10的整数。通式1
技术领域
本发明涉及硬掩模用组合物。更详细而言,本发明涉及包含芳香族缩合物或化合物的硬掩模用组合物。
背景技术
例如,在半导体制造、微电子等领域中,电路、配线、绝缘图案之类的结构物的集成度正在持续增大。因此,用于上述结构物的微细图案化的光刻工序也被一同开发。
一般而言,在蚀刻对象膜上涂布光致抗蚀剂而形成光致抗蚀剂层,通过曝光及显影工序而形成光致抗蚀剂图案。接着,将上述光致抗蚀剂图案用作蚀刻掩模,将上述蚀刻对象膜部分地去除,从而能够形成预定的图案。在进行对于上述蚀刻对象膜的图像转印后,上述光致抗蚀剂图案可以通过灰化(ashing)和/或剥离(strip)工序而被去除。
为了抑制上述曝光工序中由光反射引起的分辨率降低,可以在上述蚀刻对象膜和上述光致抗蚀剂层之间形成防反射(anti-refractive coating;ARC)层。该情况下,会追加对于上述ARC层的蚀刻,因此上述光致抗蚀剂层或光致抗蚀剂图案的消耗量或蚀刻量会增加。此外,上述蚀刻对象膜的厚度增加或形成期望的图案时所需的蚀刻量增大的情况下,可以无法确保所要求的上述光致抗蚀剂层或光致抗蚀剂图案的充分的耐蚀刻性。
因此,为了确保用于形成期望的图案的光致抗蚀剂的耐蚀刻性和蚀刻选择比,可以在上述蚀刻对象膜和上述光致抗蚀剂层之间追加抗蚀剂下部膜。
上述抗蚀剂下部膜具有对于高温工序的耐热性和耐化学性,例如,有必要通过旋涂工序以均匀的厚度形成。
韩国公开专利第10-2010-0082844号公开了抗蚀剂下部膜形成组合物的一例。
现有技术文献
专利文献
韩国公开专利第10-2010-0082844号
发明内容
所要解决的课题
本发明的一个课题在于提供可以形成具有优异的机械、化学特性的硬掩模的硬掩模用组合物。
解决课题的方法
1.一种硬掩模用组合物,其包含:芳香族化合物的聚合物、包含下述通式1所表示的化合物的交联剂、和溶剂,
[通式1]
(通式1中,n为1~10的整数)。
2.如1所述的硬掩模用组合物,上述通式1中,n为2~4的整数。
3.如1所述的硬掩模用组合物,上述交联剂包含下述化学式1和化学式2所表示的化合物中的至少一种,
[化学式1]
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