[发明专利]一种阵列基板、其制作方法、显示面板及显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

显示区域，非显示区域，所述非显示区域围绕所述显示区域；

位于所述显示区域的多个第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括第一有源层，所述第一有源层的材料包括非晶硅；

位于所述非显示区域的至少一个多路复用器，所述多路复用器包括多个第二薄膜晶体管，一个输入端，多个控制信号线，其中，各所述第二薄膜晶体管的第一极分别与所述输入端电连接，各所述第二薄膜晶体管的第二极分别与位于所述显示区域的不同数据线电连接，各所述第二薄膜晶体管的控制端分别与不同的所述控制信号线电连接；

所述第二薄膜晶体管包括第二有源层，所述第二有源层的材料包括多晶硅；

所述第二有源层的电子迁移率与所述第一有源层的电子迁移率之比大于或者等于10。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二有源层的外边缘形状包括矩形、圆角矩形、圆形或者椭圆形中的一种或者多种。

3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一有源层的电子迁移率大于等于0.2平方厘米/(伏·秒)且小于等于1.5平方厘米/(伏·秒)，所述第二有源层的电子迁移率大于等于10平方厘米/(伏·秒)且小于等于100平方厘米/(伏·秒)。

4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二有源层的面积小于所述第一有源层的面积。

5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二有源层的厚度小于所述第一有源层的厚度。

6.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第二有源层的厚度小于

7.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二薄膜晶体管的控制端位于所述第二有源层远离所述第二薄膜晶体管的第一极和第二极的一侧，所述第二薄膜晶体管的第一极和第二极同层设置。

8.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：位于所述显示区域的多个像素，所述多个像素呈阵列排布；

每一个所述像素与多条所述数据线连接，对于同一个所述像素，各所述数据线分别与同一个所述多路复用器中不同的所述第二薄膜晶体管的第二极电连接。

9.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括多个第一子像素列、多个第二子像素列和多个第三子像素列，所述第一子像素列与至少一条第一子像素数据线连接，所述第二子像素列与至少一条第二子像素数据线连接，所述第三子像素列与至少一条第三子像素数据线连接；

至少在一个所述多路复用器内，所有所述第二薄膜晶体管的第二极分别与不同的所述第一子像素数据线电连接；和/或，

至少在一个所述多路复用器内，所有所述第二薄膜晶体管的第二极分别与不同的所述第二子像素数据线电连接；和/或，

至少在一个所述多路复用器内，所有所述第二薄膜晶体管的第二极分别与不同的所述第三子像素数据线电连接。

10.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1～9中任一项所述的阵列基板。

11.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求10所述的显示面板。

12.一种如权利要求1～9中任一项所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上形成第一金属层；

对所述第一金属层进行图案化以形成所述第二薄膜晶体管的控制端和所述控制信号线；

在所述第一金属层远离所述衬底基板的一侧形成非晶硅半导体层；

在所述显示区域内，对所述非晶硅半导体层进行图案化以形成所述第一有源层；

在所述非显示区域内，对所述非晶硅半导体层进行图案化和晶化以形成所述第二有源层；

在所述非晶硅半导体层远离所述衬底基板的一侧形成所述第二薄膜晶体管的第一极和第二极；

在所述衬底基板上形成所述数据线。