[发明专利]背沟道蚀刻型氧化物半导体TFT基板及其制作方法

权利要求书

1.一种背沟道蚀刻型氧化物半导体TFT基板的制作方法，其特征在于，包括：

提供衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上沉积金属材料并刻蚀形成栅极(20)，在所述衬底基板(10)上形成覆盖栅极(20)的栅极绝缘层(30)；

在所述栅极绝缘层(30)上沉积第一氧化物半导体层(401)，在所述第一氧化物半导体层(401)上沉积第二氧化物半导体层(402)，所述第二氧化物半导体层(402)的密度大于所述第一氧化物半导体层(401)的密度；

对所述第一氧化物半导体层(401)与第二氧化物半导体层(402)进行图形化处理，得到有源层(40)；

在所述有源层(40)与栅极绝缘层(30)上沉积金属材料并刻蚀形成漏极(51)与源极(52)，所述漏极(51)与源极(52)分别与有源层(40)的两侧相接触；

在所述栅极绝缘层(30)上形成覆盖漏极(51)、源极(52)、及有源层(40)的钝化层(60)；在所述钝化层(60)上形成对应于漏极(51)上方的通孔(61)；

所述第一氧化物半导体层(401)的密度小于6.4g/cm³，所述第二氧化物半导体层(402)的密度大于6.4g/cm³；

所述第二氧化物半导体层(402)的抗蚀刻能力强于第一氧化物半导体层(401)的抗蚀刻能力。

2.如权利要求1所述的背沟道蚀刻型氧化物半导体TFT基板的制作方法，其特征在于，所述第一氧化物半导体层(401)与第二氧化物半导体层(402)的材料分别包括铟镓锌氧化物与铟锌锡氧化物中的一种或多种；所述第一氧化物半导体层(401)与第二氧化物半导体层(402)的材料相同或不同。

3.如权利要求1所述的背沟道蚀刻型氧化物半导体TFT基板的制作方法，其特征在于，所述第一氧化物半导体层(401)的厚度大于所述第二氧化物半导体层(402)的厚度。

4.如权利要求1所述的背沟道蚀刻型氧化物半导体TFT基板的制作方法，其特征在于，所述栅极(20)的材料包括钼、铝、铜中的一种或多种；所述栅极绝缘层(30)为氮化硅层、氧化硅层、或者氮化硅层与氧化硅层的叠层复合膜；所述钝化层(60)为氮化硅层或氧化硅层；所述漏极(51)与源极(52)的材料包括钼、铝、铜中的一种或多种。

5.一种背沟道蚀刻型氧化物半导体TFT基板，其特征在于，包括：衬底基板(10)、设于所述衬底基板(10)上的栅极(20)、设于所述衬底基板(10)上且覆盖栅极(20)的栅极绝缘层(30)、设于所述栅极绝缘层(30)上且对应于栅极(20)上方的有源层(40)、设于所述有源层(40)与栅极绝缘层(30)上且分别与所述有源层(40)两侧相接触的漏极(51)与源极(52)、设于所述栅极绝缘层(30)上且覆盖所述漏极(51)、源极(52)、及有源层(40)的钝化层(60)、及设于所述钝化层(60)上对应于漏极(51)上方的通孔(61)；

所述有源层(40)包括设于所述栅极绝缘层(30)上的第一氧化物半导体层(401)、及设于所述第一氧化物半导体层(401)上的第二氧化物半导体层(402)，所述第二氧化物半导体层(402)的密度大于所述第一氧化物半导体层(401)的密度；

所述第一氧化物半导体层(401)的密度小于6.4g/cm³，所述第二氧化物半导体层(402)的密度大于6.4g/cm³；

所述第二氧化物半导体层(402)的抗蚀刻能力强于第一氧化物半导体层(401)的抗蚀刻能力。

6.如权利要求5所述的背沟道蚀刻型氧化物半导体TFT基板，其特征在于，所述第一氧化物半导体层(401)与第二氧化物半导体层(402)的材料分别包括铟镓锌氧化物与铟锌锡氧化物中的一种或多种；所述第一氧化物半导体层(401)与第二氧化物半导体层(402)的材料相同或不同。

7.如权利要求5所述的背沟道蚀刻型氧化物半导体TFT基板，其特征在于，所述第一氧化物半导体层(401)的厚度大于所述第二氧化物半导体层(402)的厚度。

8.如权利要求5所述的背沟道蚀刻型氧化物半导体TFT基板，其特征在于，所述栅极(20)的材料包括钼、铝、铜中的一种或多种；所述栅极绝缘层(30)为氮化硅层、氧化硅层、或者氮化硅层与氧化硅层的叠层复合膜；所述钝化层(60)为氮化硅层或氧化硅层；所述漏极(51)与源极(52)的材料包括钼、铝、铜中的一种或多种。