[发明专利]一种半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供待减薄晶圆和临时键合载体，并将所述待减薄晶圆的正面和所述临时键合载体进行临时键合；

在所述待减薄晶圆的背面形成防粘层；

对所述待减薄晶圆的背面和所述防粘层进行第一减薄处理，其中所述第一减薄处理仅对所述待减薄晶圆的中心区域进行减薄，不对所述待减薄晶圆的边缘区域进行减薄，进而在所述待减薄晶圆的边缘区域形成凸起的环状结构，在所述待减薄晶圆的中心区域形成凹槽，其中所述第一减薄处理为研磨工艺；

对所述待减薄晶圆的中心区域形成的凹槽的表面进行化学刻蚀，以降低所述第一减薄处理形成所述凹槽时所造成的减薄缺陷和减薄应力问题；

将所述待减薄晶圆和所述临时键合载体进行解键合。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述防粘层包括单分子层材料。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述防粘层的形成方法包括涂覆工艺。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述单分子层材料包括自组装单分子层。

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述单分子材料层包括含氟有机硅烷。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述含氟有机硅烷包括全氟癸烷基三氯硅烷。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述化学刻蚀的方法包括单晶圆旋转湿法腐蚀法。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述单晶圆旋转湿法腐蚀法所使用的刻蚀液包括氢氟酸、硫酸、硝酸和磷酸的组合。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述临时键合的步骤之后，在所述形成防粘层的步骤之前，所述方法还包括对所述待减薄晶圆的背面进行第二减薄处理的步骤。