[发明专利]高稳定性酒店门锁结构

说明书

技术领域

本发明涉及防盗锁体技术领域，具体涉及一种高稳定性酒店门锁结构。

背景技术

由于传统的机械锁是用钥匙开启，所以锁体必须有孔，而自古以来，锁具都能运用一定额工具和技巧轻易打开，尤其是当今世界，各种先进的开锁工具层出不穷，开锁技术也更出神入化。现有电子锁采用指纹实现开启，其结构包括外壳、正面门把手、设外壳上的指纹采集识别模块和连接在指纹采集识别模块上的锁芯控制装置。利用指纹解锁具有方便易操作的特性，但是，在操作时人体所带静电易作用于指纹锁，对其稳定性造成影响。

发明内容

本发明为了解决上述技术问题提供一种高稳定性酒店门锁结构。

本发明通过下述技术方案实现：

高稳定性酒店门锁结构，包括外壳、横向设置的正面门把手、指纹采集识别模块、连接在指纹采集识别模块上的锁芯控制装置和为锁芯控制装置提供电源的电源电路，所述锁芯控制装置上依次信号连接有驱动电路和驱动锁芯动作的驱动马达，其特征在于，所述电源电路与锁芯控制装置之间连接有静电防护电路。本方案在现有结构的基础上做了改进，即在电源电路与锁芯控制装置之间连接静电防护电路，利用静电防护电路泄放静电，提高门锁结构的稳定性。

作为优选，所述静电防护电路包括二极管D1和二极管D2，所述的二极管D1的阳极连接在二极管D2的阴极上，所述的二极管D1的阴极连接在电源上，所述的二极管D2的阳极接地，所述的二极管D1的阴极连接在三极管T1的集电极上，所述的三极管T1的基极通过电阻R1连接在发射极且发射极接地，所述的二极管D1的阳极通过电阻R2同时连接在三极管T2的基极和三极管T3的基极上，所述的三极管T2的发射极连接在电源上，所述的三极管T2的集电极连接在三极管T3的集电极上，所述的三极管T3的发射极接地，所述的三极管T3和三极管T1均为NPN型三极管，所述的三极管T2为PNP型三极管。采用两级静电泄放且可根据静电电性提供多条静电泄放通路，有效的将静电泄放完全，有效的对锁芯控制装置进行保护，保障锁芯控制装置的可靠性。

进一步的，所述三极管T2和三极管T1为同型号三极管。

进一步的，为了提高电路的可靠性，所述电阻R2的阻值为200欧姆至500欧姆。

本发明与现有技术相比，具有如下的优点和有益效果：

1、本发明利用静电防护电路泄放静电，提高门锁结构的稳定性。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下面结合实施例，对本发明作进一步的详细说明，本发明的示意性实施方式及其说明仅用于解释本发明，并不作为对本发明的限定。

实施例1

一种高稳定性酒店门锁结构，包括外壳、横向设置的正面门把手、指纹采集识别模块、连接在指纹采集识别模块上的锁芯控制装置和为锁芯控制装置提供电源的电源电路，所述锁芯控制装置上依次信号连接有驱动电路和驱动锁芯动作的驱动马达，其特征在于，所述电源电路与锁芯控制装置之间连接有静电防护电路。

所述静电防护电路包括二极管D1和二极管D2，所述的二极管D1的阳极连接在二极管D2的阴极上，所述的二极管D1的阴极连接在电源上，所述的二极管D2的阳极接地，所述的二极管D1的阴极连接在三极管T1的集电极上，所述的三极管T1的基极通过电阻R1连接在发射极且发射极接地，所述的二极管D1的阳极通过电阻R2同时连接在三极管T2的基极和三极管T3的基极上，所述的三极管T2的发射极连接在电源上，所述的三极管T2的集电极连接在三极管T3的集电极上，所述的三极管T3的发射极接地，所述的三极管T3和三极管T1均为NPN型三极管，所述的三极管T2为PNP型三极管。

所述三极管T2和三极管T1为同型号三极管。

所述电阻R2的阻值为200欧姆至500欧姆。

以上所述的具体实施方式，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施方式而已，并不用于限定本发明的保护范围，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。