[发明专利]有机发光显示装置及其制造方法有效
申请号: | 201711011784.8 | 申请日: | 2017-10-25 |
公开(公告)号: | CN108022948B | 公开(公告)日: | 2022-06-07 |
发明(设计)人: | 白正善;方政镐 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 蔡胜有 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种有机发光显示装置,包括:
设置在基板上的薄膜晶体管;
连接到薄膜晶体管的有机发光元件;
连接到每一个有机发光元件的阴极的辅助连接电极;
沿着每一个有机发光元件的阳极的边缘设置的第一堤岸;和
设置成与辅助连接电极对应并且在所述阳极和所述辅助连接电极之间的分隔部,
其中有机发光元件的有机发光叠层在分隔部处彼此断开以暴露辅助连接电极的上表面,
其中,所述第一堤岸的侧表面比设置在所述第一堤岸下方的阳极的侧表面伸出更多,所述分隔部被设置成覆盖所述第一堤岸的侧表面、上表面和下表面的至少一部分以及所述阳极的侧表面。
2.如权利要求1所述的有机发光显示装置,还包括沿着辅助连接电极的边缘设置的第二堤岸。
3.如权利要求2所述的有机发光显示装置,其中:
所述第二堤岸的侧表面比设置在所述第二堤岸下方的辅助连接电极的侧表面伸出更多,
所述分隔部被设置成覆盖所述辅助连接电极的侧表面,和
所述阴极与所述辅助连接电极的暴露的上表面接触。
4.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其中:
所述阴极与辅助连接电极的暴露的上表面和侧表面接触。
5.如权利要求1至4中任一项所述的有机发光显示装置,其中:
阳极和辅助连接电极中的至少一个通过顺序叠置下部导电膜和具有多层结构的上部导电膜形成,
下部导电膜由选自MoTi、Ti、Ta及其组合物构成的组中的一种形成,和
上部导电膜包括透明导电膜和不透光导电膜。
6.如权利要求5所述的有机发光显示装置,其中所述第一堤岸和下部导电膜的侧表面比上部导电膜的侧表面伸出更多。
7.如权利要求5所述的有机发光显示装置,还包括:
设置在基板的焊盘区中的焊盘电极;和
连接到相应一个焊盘电极且包括所述下部导电膜的焊盘覆盖电极。
8.如权利要求5所述的有机发光显示装置,还包括存储电容器,所述存储电容器通过将存储下部电极和存储上部电极彼此交叠形成,
其中存储下部电极由与每个薄膜晶体管的栅极相同的材料形成且设置成与所述栅极共面,和
其中存储上部电极由与每个薄膜晶体管的源极相同的材料形成且设置成与所述源极共面。
9.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其中分隔部具有宽度从下表面到上表面逐步增加的倒锥形状。
10.一种有机发光显示装置的制造方法,包括:
形成设置在基板上的薄膜晶体管;
同时形成连接至每个薄膜晶体管的阳极、连接至被设置为与阳极相对的阴极的辅助连接电极、和沿着阳极的边缘设置的第一堤岸,其中,所述第一堤岸的侧表面被形成为比设置在所述第一堤岸下方的阳极的侧表面伸出更多;和
形成设置成与辅助连接电极对应并且在所述阳极和所述辅助连接电极之间的分隔部,其中所述分隔部被形成为覆盖所述第一堤岸的侧表面、上表面和下表面的至少一部分以及所述阳极的侧表面;以及
将阳极和阴极之间的有机发光叠层形成为在分隔部处彼此断开以暴露辅助连接电极的上表面。
11.如权利要求10所述的方法,还包括沿着所述辅助连接电极的边缘设置第二堤岸。
12.如权利要求11所述的方法,其中所述分隔部形成为覆盖所述辅助连接电极的侧表面。
13.如权利要求10至12中任一项所述的方法,还包括:
当形成薄膜晶体管时,形成设置在基板的焊盘区中的焊盘电极;和
当形成阳极时,形成连接到相应一个焊盘电极的焊盘覆盖电极。
14.如权利要求13所述的方法,其中形成阳极、辅助连接电极、焊盘覆盖电极和第一堤岸包括:
在设置有薄膜晶体管和焊盘电极的基板上顺序形成下部导电膜和上部导电膜;
在上部导电膜上形成具有多台阶结构的光敏膜;
通过使用光敏膜作为掩模蚀刻下部导电膜和上部导电膜,形成具有下部导电膜和上部导电膜的阳极、辅助连接电极和焊盘覆盖电极;
第一次减小光敏膜的厚度;
使用具有第一次减小了厚度的光敏膜作为掩模去除焊盘覆盖电极的上部导电膜;和
第二次减小光敏膜的厚度,以利用剩余的光敏膜形成所述第一堤岸。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的