[发明专利]晶片的加工方法有效
申请号: | 201711011997.0 | 申请日: | 2017-10-26 |
公开(公告)号: | CN108022876B | 公开(公告)日: | 2022-02-11 |
发明(设计)人: | 山下阳平;小幡翼;小川雄辉 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 于靖帅;乔婉 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶片 加工 方法 | ||
1.一种晶片的加工方法,将由交叉的多条分割预定线划分而在正面上形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片,其中,该晶片的加工方法包含如下的工序:
保护带粘贴工序,在晶片的正面上粘贴保护带,该保护带的粘贴力因紫外线的照射而降低;
背面磨削工序,在实施完了该保护带粘贴工序之后,将该保护带侧保持在卡盘工作台上,对该晶片的背面进行磨削而使该晶片薄化成期望的厚度;
切削槽形成工序,在实施完了该背面磨削工序之后,从该晶片的背面与该分割预定线对应地定位切削刀具而形成未达到该晶片的正面的切削槽;
切断工序,在实施完了该切削槽形成工序之后,从该晶片的背面沿着该切削槽照射激光光线而在该切削槽的底部形成切断部,将该分割预定线完全切断但不将该保护带切断,由此,将该晶片分割成各个器件芯片,并且分割得到的各个器件芯片不会脱离而是整体由未被切断的该保护带保持;
紫外线照射工序,在实施完了该切断工序之后,对粘贴于该晶片的正面的未被切断的该保护带照射紫外线而使该保护带的粘贴力降低;
框架支承工序,在实施完了该紫外线照射工序之后,在该晶片的该保护带侧粘贴粘合带并且将该粘合带的外周粘贴在具有收纳该晶片的开口部的环状框架上,从而借助该粘合带和该保护带而利用该环状框架对该晶片进行支承;以及
拾取工序,在实施完了该框架支承工序之后,对安装在该框架上的粘合带进行扩展而对粘贴于该粘合带的晶片和残留于晶片的正面侧的未被切断的整张的保护带放射状地作用拉伸力,使各个器件芯片彼此沿着切断部分离,然后,从该晶片的背面侧使各个器件芯片与未被切断的整张的保护带分离而拾取各个器件芯片。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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