[发明专利]一种微型薄膜外延结构层转移方法

权利要求书

1.一种微型薄膜外延结构层转移方法，其特征是，包括如下步骤：

步骤一. 制作外延层：提供一蓝宝石衬底（1），在所述蓝宝石衬底（1）上依次生长N-GaN层（2）、MQW发光层（3）、P-GaN层（4），完成GaN外延层（11）的制作；

步骤二. 制作磁性金属层（5）：利用电子束蒸镀或磁控溅射技术，在GaN外延层（11）上表面制作磁性金属层（5）；

步骤三. 制作粘合层（6）：利用旋涂或喷淋技术，在磁性金属层（5）表面制作粘合层（6）；

步骤四. 形成外延层单元结构：在粘合层（6）表面制作有图形的掩膜层，利用湿法腐蚀液将非掩膜区域的粘合层（6）和磁性金属层（5）去除，再利用ICP刻蚀工艺，将非掩膜区域的GaN外延层刻蚀掉，形成若干个独立的外延层单元结构；

步骤五. 去除掩膜层：通过湿法去胶液将掩膜层去除；

步骤六. 转移到中转基板上：在粘合层（6）表面，利用磁性金属层（5）的电磁力将GaN外延层（11）与磁性中转基板（7）连接，形成临时键合；

步骤七. 剥离衬底：利用激光剥离技术，将蓝宝石衬底（1）与GaN外延层分离，使得若干个独立的外延层单元结构转移到磁性中转基板（7）上；

步骤八. 转移到吸头上：采用具有磁性的转移吸头（8）吸住外延层单元结构的下表面，将磁性中转基板（7）上的外延层单元结构与磁性中转基板（7）分离；所述转移吸头（8）包括三层，上下两层为隔板，中间层设置有若干个均匀分布的可编程微磁场单元（9）；

所述转移吸头（8）中可编程微磁场单元（9）与磁性金属层（5）间的电磁力大于磁性中转基板（7）与磁性金属层（5）间的电磁力；

步骤九. 转移到基板（10）上：将转移吸头（8）上的若干个独立的外延层单元结构与基板（10）对位热压，通过粘合层（6）将若干个独立的外延层单元结构粘到基板（10）上，完成GaN薄膜外延层的转移；

所述粘合层（6）的材料为双组份环氧胶，在热压过程中，用于将若干个独立的外延层单元结构和基板（10）进行粘合；

步骤十. 布线：通过光刻、蒸镀、刻蚀工艺，在基板（10）上制作横向和纵向线路，用于柔性显示屏中各像素点的信号控制；

所述磁性金属层（5）的金属可以为Ni或Fe或Co；

所述掩膜层为光刻胶；所述基板（10）为FPC柔性基板或硅基板或PCB板。