[发明专利]一种显示面板、显示装置及其制作方法有效
申请号: | 201711012456.X | 申请日: | 2017-10-26 |
公开(公告)号: | CN107591435B | 公开(公告)日: | 2020-04-07 |
发明(设计)人: | 陈江博;宋泳锡;刘英伟;王国英;刘凤娟 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭润湘 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 显示装置 及其 制作方法 | ||
本申请提供一种显示面板、显示装置及其制作方法,以避免偏光膜容易产生开胶问题的同时,也能改善外界紫外光线照射薄膜晶体管时导致薄膜晶体管不能正常关断问题。该显示面板包括设置在透明衬底基板之上的偏光膜,设置在所述偏光膜之上的薄膜晶体管层,以及设置在所述薄膜晶体管层之上的发光层,所述发光层发出的光经所述透明衬底基板出射。
技术领域
本申请涉及半导体技术领域,尤其涉及一种显示面板、显示装置及其制作方法。
背景技术
平面显示器(F1at Pane1 Disp1ay,FPD)己成为市场上的主流产品,平面显示器的种类也越来越多,如液晶显示器(Liquid Crysta1 Disp1ay,LCD)、有机发光二极管(Organic Light Emitted Diode,OLED)显示器、等离子体显示面板(P1asma Disp1ayPane1,PDP)及场发射显示器(Field Emission Display,FED)等。
而作为FPD产业核心技术的薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)背板技术,也在经历着深刻的变革。尤其是金属氧化物薄膜晶体管(Metal Oxide Thin FilmTransistor,MOTFT),由于具有较高的迁移率(在5~50cm2/Vs左右)、制作工艺简单、成本较低,且具有优异的大面积均匀性等特点,因此MOTFT技术自诞生以来便备受业界瞩目。
目前主动矩阵有机发光显示设备(Active-matrix organic light emittingdiode,AMOLED)进入到产品化评估阶段,整机信赖性的优劣关系到产品大规模量产的重要问题。而AMOLED显示设备的TFT工艺制程不可避免地受紫外光照射,而紫外光的照射会使TFT阈值电压负向漂移,使得TFT不能正常关断,进而使显示面板产生显示效果劣化的问题。另外,偏振片的贴覆是AMOLED产品的必要后段工序,人力和材料成本较高,并且在进行高温高湿信赖性测试时会出现开胶的情况,也会导致显示效果劣化的问题。
发明内容
本申请提供一种显示面板、显示装置及其制作方法,以避免偏光膜设置容易产生开胶问题的同时,也能改善外界紫外光线照射薄膜晶体管时导致薄膜晶体管不能正常关断问题。
本申请实施例提供一种显示面板,包括设置在透明衬底基板之上的偏光膜,设置在所述偏光膜之上的薄膜晶体管层,以及设置在所述薄膜晶体管层之上的发光层,所述发光层发出的光经所述透明衬底基板出射。
优选的,所述发光层包括出光区,所述偏光膜在与所述出光区对应的区域设置有镂空结构。
优选的,所述透明衬底基板背离所述偏光膜的一面还设置有紫外吸收膜。
优选的,所述紫外吸收膜的背离所述透明衬底基板的一面呈凹凸状。
优选的,所述紫外吸收膜的材质为结晶型氧化铟锡。
本申请实施例还提供一种显示装置,包括本申请实施例提供的所述显示面板。
本申请实施例还提供一种显示面板的制作方法,包括:
在透明衬底基板之上形成偏光膜;
在所述偏光膜之上形成薄膜晶体管层;
在所述薄膜晶体管层之上形成发光层,其中,所述发光层发出的光经所述透明衬底基板出射。
优选的,所述在透明衬底基板之上形成偏光膜,具体包括:
采用旋涂或狭缝式涂布方式形成第一薄膜;
以预设温度退火所述第一薄膜第一预设时长;
采用紫外光照射所述第一薄膜第二预设时长,形成所述偏光膜。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的