[发明专利]显示基板及其制备方法和显示面板有效
申请号: | 201711013233.5 | 申请日: | 2017-10-26 |
公开(公告)号: | CN107768412B | 公开(公告)日: | 2023-10-27 |
发明(设计)人: | 王国英;宋振 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H10K59/123 | 分类号: | H10K59/123;H10K59/12;H10K59/126 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 汪源;陈源 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 及其 制备 方法 面板 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种显示基板及其制备方法和显示面板。
背景技术
图1为现有技术中涉及的一种显示基板的截面示意图,如图1 所示,该显示基板包括:薄膜晶体管2和发光元件3,其中,薄膜晶体管2背向衬底基板1的一侧形成有钝化层8,发光元件2位于钝化层8背向衬底基板1的一侧,发光元件3的阳极通过钝化层8上的过孔与薄膜晶体管2的漏极连接。
在实际应用中发现,由于发光元件3位于薄膜晶体管2背向衬底基板1的一侧,发光元件3与薄膜晶体管2之间存在较大段差,则在发光元件3进行工作时,发光元件3发出的部分光不可避免的射向薄膜晶体管2中的有源层。与此同时,由于有源层的半导体材料对光照敏感,在光照下其电学特性会发生变化,薄膜晶体管的阈值电压出现漂移。
此外,为避免外部环境光射至有源层,则往往在薄膜晶体管和衬底基板之间设置一层金属薄膜,以遮挡环境光。然而,由于金属薄膜具有一定的反射作用,当发光元件产生的部分光射至金属薄膜表面 (背向衬底基板的一侧表面)时,该部分光线会在金属薄膜表面发生反射,并射向有源层,也会在一定程度上引起薄膜晶体管的阈值电压偏移问题。
由此可见,现有的显示基板上的薄膜晶体管的阈值电压容易发生漂移,工作稳定性差。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提出了一种显示基板及其制备方法和显示面板。
为实现上述目的,本发明提供了一种显示基板,包括:衬底基板,所述衬底基板上形成有薄膜晶体管和发光器件;
所述薄膜晶体管包括:有源层、源极和漏极,所述有源层与所述源极、漏极之间形成有层间绝缘层,所述层间绝缘层上设置有第一过孔和所述第二过孔,所述发光器件位于所述第一过孔内,所述漏极通过所述第二过孔与所述发光器件的阳极连接。
可选地,所述发光器件包括:在远离所述衬底基板方向上依次形成的所述阳极、发光层和阴极;
所述阳极背向所述衬底基板的一侧形成有缓冲层,所述缓冲层上对应所述第一过孔的位置形成有第三过孔,对应所述第二过孔的位置形成有第四过孔;
所述发光层位于所述第三过孔内;
所述薄膜晶体管位于所述缓冲层背向所述衬底基板的一侧,所述漏极通过所述第二过孔、第四过孔与所述阳极连接。
可选地,还包括:与所述阳极同层设置的吸光图形,所述有源层在所述吸光图形所处平面上的正投影完全落入所述吸光图形上。
可选地,所述阳极和所述吸光图形的材料为氧化铟锡。
可选地,所述薄膜晶体管与所述衬底基板之间形成有遮光图形,所述薄膜晶体管在所述遮光图形所处平面的正投影完全落入所述遮光图形上;
所述遮光图形的材料为黑色树脂材料。
可选地,所述发光器件发出的光为白光,所述发光器件与所述衬底基板之间形成有彩色滤光图形。
为实现上述目的,本发明还提供了一种显示面板,包括:如上述的显示基板。
为实现上述目的,本发明还提供了一种显示基板的制备方法,包括:
形成薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括:有源层、源极和漏极,所述有源层与所述源极、漏极之间形成有层间绝缘层,所述层间绝缘层上设置有第一过孔和所述第二过孔;
形成发光器件,所述发光器件位于所述第一过孔内,所述漏极通过所述第二过孔与所述发光器件的阳极连接。
可选地,形成薄膜晶体管的步骤与形成发光器件的步骤具体包括:
在衬底基板上形成阳极;
在所述阳极背向所述衬底基板的一侧形成缓冲层;
在所述缓冲层背向所述衬底基板的一侧形成有源层;
在所述有源层背向所述衬底基板的一侧形成栅绝缘层和栅极,所述栅绝缘层位于所述栅极和所述有源层之间;
在所述栅极背向所述衬底基板的一侧形成层间绝缘层,所述层间绝缘层上形成有所述第一过孔、所述第二过孔和第五过孔;
在所述缓冲层上对应所述第一过孔的位置形成第三过孔,对应所述第二过孔的位置形成第四过孔;
在所述层间绝缘层背向所述衬底基板的一侧形成源极和漏极,所述源极和所述漏极通过对应的所述第五过孔与所述有源层连接,所述漏极通过所述第二过孔、第四过孔与所述阳极连接;
在所述第三过孔内形成发光层;
在所述发光层背向所述衬底基板的一侧形成阴极。
可选地,所述在衬底基板上形成阳极的步骤之前还包括:
在衬底基板上形成遮光图形,所述遮光图形完全覆盖后续待形成所述薄膜晶体管的区域;
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