[发明专利]一种保护电路

说明书

技术领域

本发明涉及氮化镓功放管保护技术领域，更具体地说，尤其涉及一种保护电路。

背景技术

随着科学技术的不断发展，GaN材料的研究与应用已是目前半导体技术领域研究的热点，是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料。

GaN材料与SiC、金刚石等半导体材料被誉为继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代新型半导体材料。其具有宽的直接带隙、较强的原子键、较高的热导率、化学稳定性好等性质和较强的抗辐照能力，广泛应用于光电子、高温大功率器件以及高频微波器件等领域。

基于氮化镓的微波功率放大器器件，对供电时序、稳定性以及温度的要求都很高。

但是，目前的氮化镓供电偏置保护电路，无法实现恒流恒压，使其稳定性变差；并且，现有的温度补偿电路复杂。

发明内容

为解决上述问题，本发明提供了一种保护电路，该保护电路实现了恒流恒压功能。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种保护电路，用于保护氮化镓功率器件，所述保护电路包括：

开关时序电路，所述开关时序电路用于保护所述氮化镓功率器件；

温度补偿电路，所述温度补偿电路用于为所述保护电路实现温度补偿；

恒压恒流电路，所述恒压恒流电路用于使所述保护电路恒压恒流。

优选的，在上述保护电路中，所述开关时序电路具体用于：

当检测到预设节点的电压满足预设条件时，所述开关时序电路导通。

优选的，在上述保护电路中，所述开关时序电路包括：场效应管、第一电阻、第二电阻以及第一电容；

其中，所述场效应管的栅极与所述第一电阻的一端连接；所述场效应管的源极与供电端连接；所述场效应管的漏极与所述恒压恒流电路连接；

所述第一电阻的一端与所述供电端连接；所述第一电阻的另一端与所述第二电阻的一端连接；所述第二电阻的另一端与负压端连接；所述第一电容的一端与所述第二电阻的一端连接；所述第一电容的另一端接地连接；

其中，所述第二电阻与所述第一电阻之间的连接节点为所述预设节点，当所述预设节点的电压满足预设条件时，所述场效应管导通。

优选的，在上述保护电路中，所述开关时序电路还包括：第三电阻；

其中，所述第一电阻的一端与所述第三电阻的一端连接，所述第三电阻的另一端与供电端连接。

优选的，在上述保护电路中，所述开关时序电路还包括：第二电容；

其中，所述第二电容的一端与所述场效应管的源极连接，所述第二电容的另一端与所述场效应管的栅极连接。

优选的，在上述保护电路中，所述温度补偿电路包括：第一三极管以及第二三极管；

其中，所述第一三极管的基极分别与所述第二三极管的基极以及所述第一三极管的集电极连接；所述第一三极管的发射极与所述场效应管的漏极连接；所述第一三极管的集电极接地；所述第二三极管的发射极与所述场效应管的漏极连接，且所述第二三极管的发射极连接第一电压输出端；所述第二三极管的集电极与所述第一电容的一端连接，且所述第二三极管的集电极连接第二电压输出端。

优选的，在上述保护电路中，所述恒压恒流电路包括：第一三极管、第二三极管、第四电阻、第五电阻以及第六电阻；

其中，所述第一三极管的基极分别与所述第二三极管的基极以及所述第一三极管的集电极连接；所述第一三极管的发射极与所述第四电阻的一端连接，所述第四电阻的另一端与所述场效应管的漏极连接；所述第一三极管的集电极与所述第五电阻的一端连接，所述第五电阻的另一端接地；所述第二三极管的发射极与所述第六电阻的一端连接，所述第六电阻的另一端与所述场效应管的漏极连接，且所述第二三极管的发射极连接第一电压输出端；所述第二三极管的集电极与所述第一电容的一端连接，且所述第二三极管的集电极连接第二电压输出端。

优选的，在上述保护电路中，所述保护电路还包括：第七电阻；

其中，所述第七电阻的一端与所述第二三极管的集电极连接，所述第七电阻的另一端与所述第一电容的一端连接，且所述第七电阻的另一端连接第二电压输出端。

优选的，在上述保护电路中，所述保护电路还包括：第八电阻；

其中，所述第八电阻的一端与所述第七电阻的另一端连接，所述第八电阻的另一端与所述第一电容的一端连接，且所述第八电阻的一端连接第二电压输出端。