[发明专利]一种超级结器件及制造方法

权利要求书

1.一种超级结器件，其特征在于，至少包括：半导体衬底、外延层、漂移区、超级结P柱、源区、沟道区、离子注入区、氧化物层、多晶硅栅极；

所述超级结P柱为多段结构，包括多个第一超级结P柱和多个第二超级结P柱，所述第一超级结P柱与所述沟道区接触，相邻所述第一超级结P柱之间具有第一P柱距离，所述第二超级结P柱与所述外延层接触，相邻所述第二超级结P柱之间具有第二P柱距离，所述第一P柱距离小于所述第二P柱距离。

2.如权利要求1所述的超级结器件，其特征在于，所述超级结P柱还包括多个第三超级结P柱，所述第三超级结P柱与所述第一超级结P柱、所述第二超级结P柱接触，相邻所述第三超级结P柱之间具有第三P柱距离，所述第三P柱距离大于所述第一P柱距离，所述第三P柱距离小于所述第二P柱距离。

3.如权利要求1所述的超级结器件，其特征在于，所述第二P柱距离与所述第一P柱距离之间的差距要大于所述第一P柱距离的10％。

4.如权利要求1所述的超级结器件，其特征在于，相邻所述超级结P柱之间的距离要大于所述超级结P柱的宽度。

5.如权利要求1所述的超级结器件，其特征在于，相邻所述超级结P柱之间的距离小于所述超级结P柱的深度的百分之二十。

6.如权利要求1所述的超级结器件，其特征在于，所述漂移区包括第一漂移区和第二漂移区，所述第一漂移区靠近所述多晶硅栅极，所述第一漂移区中掺杂的第一导电类型元素的浓度为第一掺杂浓度，所述第二漂移区靠近半导体衬底，所述第二漂移区中掺杂的第一导电类型元素的浓度为第二掺杂浓度，所述第一掺杂浓度是所述第二掺杂浓度的两倍。

7.一种超级结器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一、在半导体衬底上形成外延层；

步骤二、所述外延层上生长形成漂移区；

步骤三、在所述漂移区内通过深槽刻蚀法或多次外延生长法形成多段结构的超级结P柱，所述超级结P柱包括多个第一超级结P柱和多个第二超级结P柱，所述第二超级结P柱与所述外延层接触，相邻所述第一超级结P柱之间具有第一P柱距离，相邻所述第二超级结P柱之间具有第二P柱距离，所述第一P柱距离小于所述第二P柱距离；

步骤四、在所述漂移区上形成离子注入区、沟道区和源区，所述第一超级结P柱与所述沟道区接触；

步骤五、在所述离子注入区上方形成氧化物层和多晶硅栅极。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述多次外延生长法具体包括以下步骤：

步骤一、通过第一掩膜版在漂移区定义出超级结P柱的位置，使掩膜版将超级结P柱位置以外的部分遮挡；

步骤二、通过外延生长形成超级结P柱；

步骤三、通过第二掩膜版遮挡步骤二中形成的超级结P柱，继续外延生长形成漂移区；

步骤四、按照步骤一、步骤二及步骤三的顺序多次重复步骤一、步骤二、步骤三的工艺，以形成多个第一超级结P柱、第二超级结P柱。

9.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述深槽刻蚀法具体包括以下步骤：

步骤一、制备光刻掩膜版图案；

步骤二、将所述光刻掩膜版图案中需要刻蚀的部分在电子束下曝光；

步骤三、实施活性离子刻蚀工艺，形成深槽；

步骤四、在所述深槽中形成超级结P柱。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述超级结P柱之间的距离要大于所述超级结P柱的宽度。