[发明专利]镁合金表面原位生长NaMgF3

权利要求书

1.一种镁合金表面原位生长NaMgF₃纳米棒并吸附溶菌酶的方法，其特征在于它由下述步骤组成：

（1）微弧氧化处理镁合金表面

以含0.0065mol/L Na₃PO₄·12H₂O、0.065mol/L Na₂SiO₃·9H₂O、0.065mol/L NaOH的水溶液为电解液，采用直流脉冲电源，放电电压为350V、频率为100Hz、占空比为30%、阴阳极间距为3cm，对镁合金进行微弧氧化处理，放电处理时间为10～15分钟，在镁合金表面形成MgO耐腐蚀涂层；

（2）微弧氧化涂层表面原位生长NaMgF₃纳米棒涂层

将步骤（1）微弧氧化处理后的镁合金置于聚四氟乙烯内衬的反应釜中，并加入0.05～0.15mol/L的NaF水溶液使镁合金完全浸没，在微波辅助条件下160～180℃反应5～15分钟，反应完后自然冷却至室温，将镁合金用去离子水冲洗干净后60℃干燥，得到微弧氧化表面原位生长NaMgF₃纳米棒涂层的镁合金；

（3）镁合金表面NaMgF₃纳米棒涂层吸附溶菌酶

将步骤（2）中表面原位生长NaMgF₃纳米棒涂层的镁合金浸没于10mL 3mg/ mL的溶菌酶的HEPES溶液中，磁力搅拌条件下吸附装载7小时，然后用PBS缓冲溶液清洗，冷冻干燥24小时，得到NaMgF₃纳米棒涂层表面吸附有溶菌酶的镁合金。

2.根据权利要求1所述的镁合金表面原位生长NaMgF₃纳米棒并吸附溶菌酶的方法，其特征在于：在步骤（2）中，所述NaF水溶液的浓度为0.1mol/L。

3.根据权利要求1所述的镁合金表面原位生长NaMgF₃纳米棒并吸附溶菌酶的方法，其特征在于：所述步骤（2）中，在微波辅助条件下170 ℃反应7分钟。

4.根据权利要求1～3任意一项所述的镁合金表面原位生长NaMgF₃纳米棒并吸附溶菌酶的方法，其特征在于：所述微波辅助条件下的功率为300～400W。