[发明专利]一种玻璃陶瓷

说明书

技术领域

本发明属于太阳能及环保节能技术领域，尤其涉及一种玻璃陶瓷。

背景技术

目前，应用在衬底上的主要是无定形薄膜硅(a-Si)。在衬底上沉积无定形薄膜硅的方法所需的温度通常为约450℃。与a-Si元件相比，在相应元件中使用多晶薄膜硅(poly-Si)会显示某些绝对性优势，多晶薄膜硅具有明显更高的电子迁移率。例如，LCD的分辨率和反应速度会显著提高。进而，这开创了所安装的附加集成电路的板上(on-board)集成的新方法，如果是a-Si器件，则在LCD的边缘上安装，例如采用外加芯片的形式。在本领域中，多晶薄膜硅通过在衬底上的a-Si的再结晶而得到。原则上讲，这种方法通过加热硅层到使a-Si结晶的温度而得以实现。

就此而言，低温多晶薄膜硅与高温多晶薄膜硅之间的差别是低温多晶薄膜硅是通过局部加热硅层至600℃而获得，而高温多晶薄膜硅是在约900℃的工艺温度下形成的。为制造这种多晶薄膜硅制品，可以把整个元件加热至相应温度(HT多晶薄膜硅)，或者另外通过以相应的光栅图案移动准分子激光器穿过表面(表面层)而在局部产生所需的温度。由在后提及的方法制造的元件中的多晶薄膜硅通常是不均匀的。上述元件可能会表现出例如令人不满意的所谓的“针点缺陷”。为了达到在高温多晶薄膜硅情况下相同的集成度，低温多晶薄膜硅元件必须被长时间处理，通常要超过20小时。

鉴于为获得晶体管的高度集成而需要多种光刻工艺这一事实，多晶薄膜硅元件必须理所当然地要经受住再结晶循环的温度，同时其几何尺寸无显著变化(收缩)，以避免在叠加层之间以及与接触点之间的偏差(若有的话)。通常，收缩容许误差仅是所实施的最小电路单元的横向延伸的一部分；与整个衬底相比，通常限制其为50ppm。为避免在衬底和Si层之间的应力，两种材料的热膨胀系数必须相互配合，或必须相等。迄今为止，仅适用于多晶薄膜硅元件的多晶薄膜硅元件由无定形SiO₂(石英玻璃)组成，并且是复杂的和造价昂贵的。

发明内容

鉴于现有技术所存在的问题，本发明提供一种玻璃陶瓷，具有制备方法简单、成本低廉好等优点。

本发明解决上述技术问题的技术方案如下：一种玻璃陶瓷，包括以下重量份的组分：SiO₂为20-40,B₂O₃为1-5，P₂O₅为5-15，Al₂O₃为5-15，MgO为3-10，CaO为2-12，Li₂O为1-10，ZrO₂为5-8，BaO为2-10，PBO为2-15。

进一步地，所述SiO₂为20重量份，B₂O₃为1重量份，P₂O₅为5重量份，Al₂O₃为5重量份，MgO为3重量份，CaO为2重量份，Li₂O为1重量份，ZrO₂为5重量份，BaO为2重量份，PBO为2重量份。

进一步地，所述SiO₂为40重量份，B₂O₃为5重量份，P₂O₅为15重量份，Al₂O₃为15重量份，MgO为10重量份，CaO为12重量份，Li₂O为10重量份，ZrO₂为8重量份，BaO为10重量份，PBO为15重量份。

进一步地，所述SiO₂为30重量份，B₂O₃为3重量份，P₂O₅为10重量份，Al₂O₃为10重量份，MgO为7重量份，CaO为8重量份，Li₂O为5重量份，ZrO₂为6重量份，BaO为8重量份，PBO为7重量份。

本发明还提供了一种半导体衬底，该衬底由上述任一项所述的玻璃陶瓷组成。

具体实施方式

以下对本发明的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本发明，并非用于限定本发明的范围。