[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、液晶显示面板有效

专利信息
申请号: 201711014395.0 申请日: 2017-10-26
公开(公告)号: CN107728392B 公开(公告)日: 2020-08-14
发明(设计)人: 江亮亮;郭磊;戴珂 申请(专利权)人: 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
主分类号: G02F1/1343 分类号: G02F1/1343;G02F1/1333
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 柴亮;张天舒
地址: 230012 *** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 阵列 及其 制备 方法 液晶显示 面板
【权利要求书】:

1.一种阵列基板,其特征在于,包括第一电极、第二电极,所述第一电极与第二电极之间设有绝缘层,其中,所述绝缘层与第一电极之间还设有膜厚调控层,所述膜厚调控层由负热膨胀材料构成,用于调整第一电极与第二电极之间的距离。

2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述负热膨胀材料包括金属-陶瓷复合材料、三氟化钪晶体、锆钨酸盐中的任意一种或几种。

3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述绝缘层包括栅极绝缘层和钝化层,所述栅极绝缘层相较于所述钝化层更靠近第一电极。

4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述膜厚调控层设于栅极绝缘层与钝化层之间。

5.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述膜厚调控层设于栅极绝缘层与第一电极之间。

6.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述负热膨胀材料热膨胀系数范围为-27×10-6K-1~-5×10-6K-1

7.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,受热前所述第一电极与第二电极之间极之间的距离为H1,受热后所述第一电极与第二电极之间极之间的距离为H2,H1与H2的差值为1-10nm。

8.一种液晶显示面板,其特征在于,包括权利要求1-7任一项所述的阵列基板。

9.根据权利要求8所述的液晶显示面板,其特征在于,还包括彩膜基板,所述彩膜基板与所述阵列基板之间设有液晶,其中,栅极的高电平信号为Vgh,栅极的低电平信号为Vgl,液晶电容为Clc,像素存储电容为Cst,耦合电容为Cgs,馈入电压为△Vp,

并且,△Vp为定值。

10.一种阵列基板的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

形成第一电极;

采用负热膨胀材料形成膜厚调控层;

形成绝缘层;

形成第二电极。

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