[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、液晶显示面板有效
申请号: | 201711014395.0 | 申请日: | 2017-10-26 |
公开(公告)号: | CN107728392B | 公开(公告)日: | 2020-08-14 |
发明(设计)人: | 江亮亮;郭磊;戴珂 | 申请(专利权)人: | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1343 | 分类号: | G02F1/1343;G02F1/1333 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 柴亮;张天舒 |
地址: | 230012 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制备 方法 液晶显示 面板 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,包括第一电极、第二电极,所述第一电极与第二电极之间设有绝缘层,其中,所述绝缘层与第一电极之间还设有膜厚调控层,所述膜厚调控层由负热膨胀材料构成,用于调整第一电极与第二电极之间的距离。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述负热膨胀材料包括金属-陶瓷复合材料、三氟化钪晶体、锆钨酸盐中的任意一种或几种。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述绝缘层包括栅极绝缘层和钝化层,所述栅极绝缘层相较于所述钝化层更靠近第一电极。
4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述膜厚调控层设于栅极绝缘层与钝化层之间。
5.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述膜厚调控层设于栅极绝缘层与第一电极之间。
6.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述负热膨胀材料热膨胀系数范围为-27×10-6K-1~-5×10-6K-1。
7.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,受热前所述第一电极与第二电极之间极之间的距离为H1,受热后所述第一电极与第二电极之间极之间的距离为H2,H1与H2的差值为1-10nm。
8.一种液晶显示面板,其特征在于,包括权利要求1-7任一项所述的阵列基板。
9.根据权利要求8所述的液晶显示面板,其特征在于,还包括彩膜基板,所述彩膜基板与所述阵列基板之间设有液晶,其中,栅极的高电平信号为Vgh,栅极的低电平信号为Vgl,液晶电容为Clc,像素存储电容为Cst,耦合电容为Cgs,馈入电压为△Vp,
并且,△Vp为定值。
10.一种阵列基板的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
形成第一电极;
采用负热膨胀材料形成膜厚调控层;
形成绝缘层;
形成第二电极。
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