[发明专利]一种浸泡法制备过渡金属氧化物/量子点体异质结方法

说明书

本发明公开了一种利用浸泡法制备过渡金属氧化物/量子点体异质结方法，并将其作为发光层应用到QLED发光二极管中。所述过渡金属氧化物/量子点体异质结，是现在导电玻璃上制备好空穴注入与传输层和过渡金属氧化物骨架后，再制备过渡金属氧化物/量子点体异质结，制作过程包括将多孔过渡金属氧化物骨架不断地放在量子点原液中浸泡、冲洗，确保量子点材料在过渡金属氧化物孔隙内均匀填充且结合紧密，然后经过干燥，得到金属氧化物/量子点体异质结。本发明的优点是：具有制备工艺简单、重复性好等优点。相比旋涂法制备过渡金属氧化物/量子点体异质结具有极大的提高。

技术领域

本发明专利主要涉及LED发光器件领域，特别是涉及一种制备性能优良的发光层材料，具体为一种浸泡法制备过渡金属氧化物/量子点体异质结方法。

背景技术

目前，随着量子点技术的发展，QLED发光二极管也迎来了新的发展，因为其满足人们日益追求的高标准，自发光体系的QLED发光二极管技术也越来越得到人们的重视，在不就得将来必将成为下一代显示设备的主流。但是目前QLED研究发展的瓶颈的是空穴电子的注入不平衡导致效率不高，还不能普及到应用上。为此我们提出过渡金属氧化物/量子点体异质结应用于量子点发光二极管，以期促进电子/空穴平衡，拓宽辐射复合区域，获得高电光转换效率，是一项近乎全新的探索。但是由于过渡金属氧化物骨架和量子点很难结合到理想状态，通常旋涂使两者结合在一起不能使量子点完全渗透到过渡金属氧化物骨架中，因此我们采用浸泡法，将过渡金属氧化物骨架浸泡在量子点溶液中，浸泡一段时间后拿出来用正己烷冲洗，如此反复，便可使量子点更大程度的和过渡金属氧化物骨架结合，这种方法不仅可以提高两者的结合，更可以避免杂质带来的影响，制备工艺简单，可工业化生产。

发明内容

本发明专利主要解决的技术问题是提供一种稳定性优良的过渡金属氧化物骨架，进而制备高效过渡金属氧化物/量子点体异质结量子点发光二极管，采用过渡金属氧化物/量子点体异质结技术，多种不同材料，实现了更高效率的量子点发光器件，满足人们的生活需要。

为解决上述技术问题，本发明专利采用的一种技术方案是：一种浸泡法制备过渡金属氧化物/量子点体异质结方法，其特征在于：将多孔过渡金属氧化物薄膜及其基体放入量子点原液中，经过较长时间的浸泡，量子点材料充分浸入金属氧化物薄膜的孔隙内；取出后用正己烷冲洗，再浸泡到量子点原液中，再用正己烷冲洗，重复若干次，确保量子点材料在过渡金属氧化物孔隙内均匀填充且结合紧密，然后经过干燥，得到金属氧化物/量子点体异质结，将其应用到发光二极管中，二极管设有透明导电电极的玻璃基底、空穴注入与传输层，过渡金属氧化物/量子点体异质结发光层、电子注入与传输层、金属对电极；电极、电子注入与传输层、过渡金属氧化物/量子点体异质结量子点发光层、空穴注入与传输层、ITO透明电极、玻璃基底由上向下依次连接，电极位于顶部，玻璃基底位于底部，电源正极穿透玻璃基底与导电玻璃相连接，电源负极与电极相连接。

进一步，所述过渡金属氧化物为的HOMO能级在-4.6~-5.3eV左右。

进一步，所述过渡金属氧化物为能级较高的HOMO能级的NiO、V2O5、WO3等金属氧化物，厚度为1-100nm。

进一步，所述过渡金属氧化物/量子点体异质结发光层结构中的量子点为无机半导体纳米材料，如CdSe/CdS/ZnS等量子点，厚度为1-100nm。

进一步，所述电极由Al或Ag或AL/Ag等构成，所形成的电极材料的厚度约为1-150nm。

进一步，所述电子注入与传输层由无机氧化物ZnO（ZnMgO）或TiO2等构成，厚度为1-100nm。

进一步，所述空穴注入与传输层由poly-TPD、或PVK、或TFB、或聚对苯撑乙烯(PPV)类、或聚噻吩类、或聚硅烷类、或三苯甲烷类构成，厚度为1-100nm。

进一步，所述导电玻璃为ITO导电玻璃、或FTO玻璃、或PET/ITO导电玻璃，厚度为1-200nm。