[发明专利]一种阵列基板、其制作方法、显示面板及显示装置有效

专利信息
申请号: 201711015143.X 申请日: 2017-10-25
公开(公告)号: CN107861302B 公开(公告)日: 2020-06-23
发明(设计)人: 金慧俊 申请(专利权)人: 上海中航光电子有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1345
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人: 黄志华
地址: 201108 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 阵列 制作方法 显示 面板 显示装置
【说明书】:

发明公开了一种阵列基板、其制作方法、显示面板及显示装置,通过对第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的设置,使得在第一有源层向衬底基板具有第一正投影,第二有源层向衬底基板具有第二正投影时,第二正投影位于第一正投影所在的预设区域之外,使得在对部分半导体层进行晶化处理以形成第一薄膜晶体管的第一有源层的过程中,不会对第二薄膜晶体管的第二有源层的非晶状态产生影响,从而可以有效避免在局部晶化过程中因彗差的作用对第二有源层的非晶状态产生影响,不仅提高了局部晶化的准确率和效率,还有效提高了移位寄存器单元的工作性能,从而提高了显示面板的显示效果。

技术领域

本发明涉及显示技术领域,尤指一种阵列基板、其制作方法、显示面板及显示装置。

背景技术

GOA(Gate on Array)是一种将栅极集成驱动电路集成于TFT基板上的技术,通过栅极集成驱动电路向像素区域的各薄膜晶体管的栅极提供栅极扫描信号,逐行开启各薄膜晶体管,实现像素单元的数据信号输入;其中,栅极集成驱动电路是由级联的多个移位寄存器单元构成,而移位寄存器单元则由多个薄膜晶体管构成;一般地,对于由具有非晶态半导体层的薄膜晶体管构成的移位寄存器单元,为了能够使其稳定快速地输出扫描信号,常常需要对上述移位寄存器单元中的部分薄膜晶体管的有源层进行晶化处理。然而,由于受到移位寄存器单元中各薄膜晶体管排布位置的影响,在对部分薄膜晶体管的有源层进行晶化处理时,往往会对相邻薄膜晶体管的有源层的非晶状态产生影响,从而影响移位寄存器单元的正常工作。基于此,如何精准地实现对部分薄膜晶体管的有源层进行晶化处理,而不会对周围薄膜晶体管的有源层的非晶状态产生影响,是本领域技术人员亟待解决的技术问题。

发明内容

本发明实施例提供了一种阵列基板、其制作方法、显示面板及显示装置,用以解决现有技术中存在的如何精准地实现对部分薄膜晶体管的有源层进行晶化处理,而不会对周围薄膜晶体管的有源层的非晶状态产生影响的问题。

本发明实施例提供了一种阵列基板,包括:

衬底基板;

位于所述衬底基板上的多个级联的移位寄存器单元,每个所述移位寄存器单元包括至少一个第一薄膜晶体管和至少一个第二薄膜晶体管;所述第一薄膜晶体管包括第一有源层,所述第一有源层的材料包括多晶硅;所述第二薄膜晶体管包括第二有源层,所述第二有源层的材料包括非晶硅;

所述第一有源层向所述衬底基板具有第一正投影,所述第二有源层向所述衬底基板具有第二正投影,所述第二正投影位于所述第一正投影所在的预设区域之外。

另一方面,本发明实施例还提供了一种显示面板,包括:如本发明实施例提供的上述阵列基板。

另一方面,本发明实施例还提供了一种显示装置,包括:如本发明实施例提供的上述显示面板。

另一方面,本发明实施例还提供了一种如本发明实施例提供的上述阵列基板的制作方法,包括:

提供一衬底基板;

在所述衬底基板上形成非晶硅半导体层;

对部分所述非晶硅半导体层进行图案化和晶化以形成所述第一有源层;

在第一正投影所在的所述预设区域之外,对部分所述非晶硅半导体层进行图案化以形成所述第二有源层。

本发明有益效果如下:

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