[发明专利]功率放大器温度检测系统

说明书

技术领域

本发明涉及温度检测，具体涉及功率放大器温度检测系统。

背景技术

自1974年，美国的Plessey公司用GaAs FET作为有源器件，GaAs半绝缘衬底作为载体，研制成功世界上第一块MMIC放大器以来，在军事应用(包括智能武器、雷达、通信和电子战等方面)的推动下，MMIC的发展十分迅速。80年代，随着分子束外延、金属有机物化学汽相淀积技术(MOCVD)和深亚微米加工技术的发展和进步，MMIC发展迅速。1980年由Thomson-CSF和Fujitsu两公司实验室研制出高电子迁移率晶体管(HEMT)，在材料结构上得到了不断的突破和创新。1985年Maselink用性能更好的InGaAs沟道制成的赝配HEMT(PHEMT)，使HEMT向更调频率更低噪声方向发展。继HEMT之后，1984年用GaAlAs/GaAs异质结取代硅双极晶体管中的P-N结，研制成功了频率特性和速度特性更优异的异质结双极晶体管(HBT)和HBT MMIC。由于InP材料具有高饱和电子迁移率、高击穿电场、良好的热导率、InP基的晶格匹配HEMT，其性能比GaAs基更为优越，近年来随着InP单晶的制备取得进展，InP基的HEMT、PHEMT、MMIC性能也得到很大的提高。

利用三极管的电流控制作用或场效应管的电压控制作用将电源的功率转换为按照输入信号变化的电流。因为声音是不同振幅和不同频率的波，即交流信号电流，三极管的集电极电流永远是基极电流的β倍，β是三极管的交流放大倍数，应用这一点，若将小信号注入基极，则集电极流过的电流会等于基极电流的β倍，然后将这个信号用隔直电容隔离出来，就得到了电流(或电压)是原先的β倍的大信号，这现象成为三极管的放大作用。经过不断的电流放大，就完成了功率放大。

功放的散热一直是一个需要解决的问题，不同的功放所需的散热方式也不一样，但是温度的测量也是很重要的一部分，且功率放大器的每个部分的温度都不相同，所有需分开测量。

发明内容

本发明所要解决现有技术无法准确检测功率放大器每个点温度的问题，提供功率放大器温度检测系统，分开检测不同点的温度。

本发明通过下述技术方案实现：

功率放大器温度检测系统，包括功率放大器、第一温度探测器、第二温度探测器、第三温度探测器、控制器、AD转换电路；所述功率放大器设置有输入端、输出端和功率放大模块，所述第一温度探测器设置在功率放大器的输入端，所述第二温度探测器设置在功率放大器的输出端，所述第三温度探测器设置在功率放大器的功率放大模块；所述控制器分别与第一温度探测器、第二温度探测器、第三温度探测器、AD转换电路电连接；所述第一温度探测器、第二温度探测器、第三温度探测器均与AD转换电路电连接。通过各个点的测量更容易了解功率放大器的发热部，在降温散热的时候可以更好的选择位置。

进一步的，上述的功率放大器温度检测系统，还包括显示器，所述显示器与控制器电连接。

进一步的，所述第一温度探测器的探测温度范围为10度到20度。

进一步的，所述第二温度探测器的探测温度范围为10度到50度。

进一步的，所述第三温度探测器的探测温度范围为20度到85度。

本发明与现有技术相比，具有如下的优点和有益效果：

1、本发明功率放大器温度检测系统的结构简单、操作简易；

2、本发明功率放大器温度检测系统可分别测量不同点的温度，更加准确；

3、本发明功率放大器温度检测系统可视化。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本发明实施例的进一步理解，构成本申请的一部分，并不构成对本发明实施例的限定。在附图中：

图1为本发明原理示意图。

附图中标记及对应部分的名称：

1-第一温度探测器，2-第二温度探测器，3-第三温度探测器，4-控制器，5-AD转换电路。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下面结合实施例和附图，对本发明作进一步的详细说明，本发明的示意性实施方式及其说明仅用于解释本发明，并不作为对本发明的限定。

实施例