[发明专利]一种应用于物联网中的LDO系统

说明书

技术领域

本发明涉及LDO电路领域，尤其涉及一种应用于物联网中的LDO系统。

背景技术

在物联网和大多数无线通讯的应用中，相关接收电路或者发射电路等都是需要低功耗和小面积的，因此低功耗的LDO（low dropout regulator，低压差线性稳压电路）电路对整个应用来讲是非常关键和非常必要的。LDO电路作为模拟电路的重要部分，一般需要在一个较宽的电压范围内正常工作，因此不仅要求功耗低，还需要性能稳定，有较好的温度特性，最好所占面积也要小。传统方式的电路，其功耗都是微瓦级别的，不属于低功耗设计范畴，而且传统的带隙基准里面还需要用到电阻和三极管，导致芯片面积较大。

发明内容

为克服上述现有技术存在的问题，本发明的主要目的在于提供一种应用于物联网中的LDO系统，整个电路中没有采用三极管，全部都是MOS晶体管，该电路的温度系数还是可以根据测试情况进行调节，功耗非常小，稳定性高。整个系统适用于物联网中，因此整体上LDO的驱动电流不需要很大，所以该种机构可以不需要额外的电容对稳定性进行补偿，结构简单且介绍电容面积。

为达上述及其它目的，本发明提供一种应用于物联网中的LDO系统，其至少包括：

一启动电路，用于驱动所述系统电路，一个启动电路管着稳压电路和基准电路的启动，这样启动更加稳定而且节省面积；一运算放大电路，采用自偏置差分结构，最大程度减小因电流变化对电路产生的影响； 一核心基准电路，产生核心的参考电流和参考电压，产生参考电压的精度非常高，主要特点是基准电路结构简单，性能更加的稳定，避免产用带隙基准这么复杂功耗又大的电路；一稳压电路，使用串联稳压结构，将MOS管串联在电源环路中，通过控制MOS管的栅极电压来控制稳定电源电压，其中运放的工作电流为450nA，属于亚阈值区的工作范畴，目的也是降低功耗。

本发明的特征在于，所述启动电路由第十NMOS管NM10、第二十一NMOS管NM21、第二十二NMOS管NM22和第一电容C1构成；电容C1的一端、NM21管的漏极与高压电源HVDD相连接；电容C1的另一端与NM10管的栅极和NM22管的漏极相连接，其节点标注为ST；NM22管的源极和NM10管的源极接地。

所述运算放大电路由第一PMOS管PM1、第二PMOS管PM2、第三PMOS管PM3、第七PMOS管PM7、第一NMOS管NM1、第二NMOS管NM2、第三NMOS管NM3和第四NMOS管NM4构成；PM1管的源极与PM2的源极、PM3管的源极、PM7管的源极和PM7管的漏极相连接并连接至LVDD；PM7管的栅极与NM10管的漏极、PM2管的漏极、PM3管的栅极和NM2管的漏极相连接，其节点标注为VP；PM1管的栅极与PM1管的漏极、NM1管的漏极和PM2管的栅极相连接；PM3管的漏极与NM4管的漏极、NM4管的栅极、NM3管的栅极相连接；NM1管的源极与NM2管的源极和NM3管的漏极相连接；NM3管的源极和NM4管的源极接地。

所述核心基准电路由第四PMOS管PM4、第五PMOS管PM5、第六PMOS管PM6、第五NMOS管NM5、第六NMOS管NM6、第七NMOS管NM7、第八NMOS管NM8、第九NMOS管NM9、第十一NMOS管NM11、第十二NMOS管NM12、第十三NMOS管NM13和第十四NMOS管NM14构成；PM4管的源极与PM5管的源极、PM6管的源极和PM2管的源极相连接并连接至LVDD；PM4管的栅极、PM5管的栅极和PM6管的栅极都与PM3管的栅极相连接；PM4管的漏极与NM2管的栅极、NM5管的漏极和NM5管的栅极相连接，其节点标注为VA；PM5管的漏极与NM1管的栅极、NM7管的漏极、NM7管的栅极、NM8管的漏极、NM8管的栅极、NM11管的漏极、NM11管的栅极、NM13管的漏极和NM13管的栅极相连接，其节点标注为VB；NM7管的源极与NM6管的栅极和NM6管的漏极相连接；NM11管的源极与NM12管的漏极相连接；NM13管的源极与NM14管的漏极相连接；NM12管的栅极接输入控制信号CT1；NM14管的栅极接输入控制信号CT2；PM6管的漏极与NM9管的栅极和NM9管的漏极相连接，其节点标注为VREF，作为参考电压的输出端，NM22管的栅极连接该节点；NM5管的源极、NM6管的源极、NM8管的源极、NM12管的源极、NM14管的源极和NM9管的源极接地。