[发明专利]一种CMOS图像传感器的封装工艺有效
申请号: | 201711016619.1 | 申请日: | 2017-10-25 |
公开(公告)号: | CN107808888B | 公开(公告)日: | 2020-12-01 |
发明(设计)人: | 佘福良;王国建 | 申请(专利权)人: | 积高电子(无锡)有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 无锡知之火专利代理事务所(特殊普通合伙) 32318 | 代理人: | 袁粉兰 |
地址: | 214161 江苏省无锡市滨湖区胡埭工*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 cmos 图像传感器 封装 工艺 | ||
本发明公开了一种高效型CMOS图像传感器的封装工艺,属于图像传感器的封装领域,该高效型CMOS图像传感器的封装工艺先在新型PCB基板上装片、键合、清洗,而后成行成列的在新型PCB基板上涂胶,最后盖板、烘烤固化、切割,封装工艺中涂胶工序效率更高、精度更高同时也很好操作,并且省去了现有技术中在PCB框架上涂胶的过程,也省去了载具的使用过程,缩短了封装时间,所使用的新型PCB基板价格更低,降低成本,从而克服了现有技术中的CMOS图像传感器不仅过程繁琐复杂导致封装效率低、而且成本较高、良品率也容易受到影响的问题,从而既大大的简化了CMOS图像传感器的封装工艺流程,又减低了CMOS图像传感器的封装成本,还大大提高了CMOS图像传感器的封装效率。
技术领域
本发明涉及图像传感器的封装,尤其涉及一种CMOS图像传感器的封装工艺。
背景技术
图像传感器又称为感光元件,是一种将光学图像转换成电子信号的设备,它被广泛应用在数码相机和其他电子光学设备中,是组成数字摄像头的重要组成部分。根据元件的不同,可分为CCD(Charge Coupled Device,电荷耦合元件)和CMOS(ComplementaryMetal-Oxide Semiconductor,金属氧化物半导体元件)两大类。
现有的CMOS图像传感器的封装工艺为:晶圆背磨、晶圆切割,同时PCB基板分板,将切割PCB基板后的PCB基座放置到载具中,而后将切割晶圆后的芯片装载到载具上的PCB基座上,再进行烘烤、键合、检查、清洗、点胶封盖以及烘烤工序,从而完成对CMOS图像传感器的封装。
由上述的CMOS图像传感器的封装工艺可知,现有技术中,首先需要采购的是具有PCB框和PCB板的PCB基板,图1是现有技术中采用的具有PCB框和PCB板的PCB基板的结构示意图;图2是现有技术中采用的具有PCB框和PCB板的PCB基板的部分结构示意图;如图1和图2所示,01为PCB板,02为PCB框,然而这样的PCB基板价格较高,从而会增加CMOS图像传感器的封装成本;其次,由于需要将PCB基板切割成PCB基座,再将PCB基座放置载具中,而后再将切割晶圆后得到的芯片装载到放置在载具中的PCB基座上,由于载具本身就会有一定的误差,从而会导致装载芯片(简称:装片)和后续的盖板会存在偏差,从而会影响CMOS图像传感器的封装的良品率,同时,由于要切割PCB基板、又要将PCB基座装载到载具中,这样的过程繁琐,从而会导致CMOS图像传感器的封装效率较低。
由此可见,现有技术中的CMOS图像传感器的封装工艺不仅过程繁琐复杂导致封装效率低、而且成本较高、良品率也容易受到影响。
发明内容
针对上述存在的问题,本发明提供一种CMOS图像传感器的封装工艺,以克服现有技术中的CMOS图像传感器不仅过程繁琐复杂导致封装效率低、而且成本较高、良品率也容易受到影响的问题,从而既大大的简化了CMOS图像传感器的封装工艺流程,又减低了CMOS图像传感器的封装成本,还大大提高了CMOS图像传感器的封装效率。
为了实现上述目的,本实用新型采取的技术方案为:
一种CMOS图像传感器的封装工艺,其中,包括:
(1)备好具有若干PCB分板的第一PCB基板和晶圆,背磨和切割所述晶圆得到若干芯片;
(2)将若干所述芯片分别装载到若干所述PCB分板上;
(3)键合所述芯片和所述PCB分板,而后清洗;
(4)采用点胶机在所述第一PCB基板上整行整列的进行涂胶,而后封盖、烘烤固化、切割,从而高效的完成对CMOS图像传感器的封装工艺;
其中,在所述第一PCB基板上整行整列的进行涂胶后,若干所述PCB分板的上表面四周边沿均覆盖有胶。
上述的CMOS图像传感器的封装工艺,其中,所述PCB分板成行成列的分布在所述第一PCB基板上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的