[发明专利]具有分层结构的红外发射器

权利要求书

1.一种分层红外发射器设备，所述设备包括分层结构以及电加热装置，所述分层结构具有堆叠在多个介电层之间的至少一个金属层，所述电加热装置布置在任何介电层中或任何介电层之间以将所述至少一个金属层加热到所需的红外发射温度，其中所述分层结构中的每个金属层是半透明金属层，其中所述介电层中的至少一个介电层适于将至少一个半透明金属层与所述分层结构的发射外表面进行光学匹配，其中至少一个光学匹配的介电层布置在所述至少一个半透明金属层与发射外表面之间，并且其中至少一个光学匹配的介电层由多晶硅材料或具有高折射率的其它介电材料制成，并且其中所述多个介电层还包括适于防止所述分层结构的不同层之间以及与环境物质的化学反应的屏蔽介电层，并且其中所述屏蔽介电层中的至少一个屏蔽介电层布置在所述至少一个光学匹配的介电层与发射外表面之间，并且所述屏蔽介电层中的至少一个屏蔽介电层布置在所述至少一个光学匹配的介电层与所述半透明金属层之间。

2.如权利要求1所述的分层红外发射器设备，其中所述所需的红外发射温度在从400℃至1000℃范围内。

3.如权利要求1所述的分层红外发射器设备，其中所述至少一个金属层仅包括一个金属层。

4.如权利要求1所述的分层红外发射器设备，其中所述分层结构包括半透明金属层的堆叠。

5.如权利要求1-4中任一项所述的红外发射器设备，其中所述半透明金属层的厚度选自2nm至50nm的范围。

6.如权利要求1-4中任一项所述的红外发射器设备，其中所述半透明金属层的厚度选自3nm至20nm的范围。

7.如权利要求1-4中任一项所述的红外发射器设备，其中所述半透明金属层的厚度选自5nm至15nm的范围。

8.如权利要求1-4中任一项所述的红外发射器设备，其中所述半透明金属层由热稳定金属制成，所述金属选自难熔金属。

9.如权利要求8所述的红外发射器设备，其中所述金属选自钼、钨、钛、钽、钯、铂或铌的组。

10.如权利要求1所述的红外发射器设备，其中所述至少一个光学匹配的介电层的厚度比所述至少一个半透明金属层的厚度大。

11.如权利要求1-4中的任一项所述的红外发射器设备，其中所述至少一个光学匹配的介电层和/或所述至少一个半透明金属层被图案化或部分图案化。

12.如权利要求1-4中的任一项所述的红外发射器设备，其中所述屏蔽介电层适于包围至少一个半透明层以防止与所述分层结构的其它层的化学反应以及与环境物质的化学反应。

13.如权利要求1-4中的任一项所述的红外发射器设备，其中所述屏蔽介电层中的至少一个屏蔽介电层由选自硝酸铝、多晶体和金属氧化物的组的材料制成。

14.如权利要求13所述的红外发射器设备，其中所述金属氧化物包括氧化铝。

15.如权利要求1-4中的任一项所述的红外发射器设备，其中所述分层结构从发射侧到相对侧依次包括：

至少一个屏蔽介电层，

具有高折射率的光学匹配的介电层，

至少一个屏蔽介电层，

半透明金属层，

至少一个屏蔽介电层，

并且其中所述电加热装置被布置在所述屏蔽介电层中或所述屏蔽介电层之间。