[发明专利]宽频超颖光学装置

权利要求书

1.一种光学元件，其特征在于，包含：

一介电层；及

一纳米柱阵列，由金属所形成且形成于该介电层的一表面上，该纳米柱阵列包含多个列和栏，其中多个列沿着一横向方向及多个栏沿着一纵向方向延伸，该纳米柱阵列由多个纳米柱图案所阵列而成，每一个纳米柱图案由一或多个纳米柱所定义，所述纳米柱图案为该纳米柱阵列的最小元素，

其中，每一个图案中的纳米柱具有一长轴，而所述长轴的方向决定纳米柱图案的方向，所述纳米柱图案的方向随着该横向方向变化，

其中，该纳米柱阵列的每一列包含多个图案集合，该多个图案集合沿着该横向方向一个接一个排列，每一个图案集合由多个相同的纳米柱图案组成，该多个图案集合的每一个集合中的纳米柱图案与相邻的另一个图案集合中的纳米柱图案不同，

其中，该纳米柱阵列的每一栏中的纳米柱图案为相同。

2.如权利要求1所述的光学元件，其特征在于，所述纳米柱图案由多个纳米柱所定义，且该多个纳米柱相互平行。

3.如权利要求1所述的光学元件，其特征在于，所述纳米柱图案由多个纳米柱所定义，且该多个纳米柱相互垂直。

4.如权利要求1所述的光学元件，其特征在于，该多个纳米柱由铝、银、金或半导体所制成。

5.如权利要求1所述的光学元件，其特征在于，进一步包含一金属层，该介电层形成于该金属层上，该金属层用以提供一光反射面。

6.如权利要求5所述的光学元件，其特征在于，该金属层由铝制成。

7.如权利要求1所述的光学元件，其特征在于，该介电层由氧化硅、氟化镁、氧化铝或二氧化铪所制成。

8.如权利要求1所述的光学元件，其特征在于，该多个纳米柱图案的长轴与该横向方向之间的一夹角沿着该横向方向逐渐减少。

9.如权利要求1所述的光学元件，其特征在于，该多个纳米柱图案的长轴与该横向方向之间的一夹角沿着该横向方向逐渐增加。

10.如权利要求1所述的光学元件，其特征在于，所述多个纳米柱图案中的多个相同种的图案沿着所述纵向方向相邻排列，且纵向排列的该多个相同种图案的方向一致。

11.如权利要求1所述的光学元件，其特征在于，所述多个纳米柱图案为分裂环，所述分裂环由沿着该介电层延伸之一纳米柱及该纳米柱的两端分别形成之一凸块所形成。

12.如权利要求11所述的光学元件，其特征在于，所述凸块具有一延伸方向，其垂直于该横向方向及该纵向方向。

13.如权利要求11所述的光学元件，其特征在于，一分裂环上的凸块间距与另一分裂环上的凸块间距不同。