[发明专利]制备多晶硅层的方法、多晶硅薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板以及显示装置

权利要求书

1.一种制备多晶硅层的方法，其特征在于，包括：

形成非晶硅层，所述非晶硅层的第一表面上设置有多个彼此交替的凸起部和凹槽部；

对所述非晶硅层进行准分子激光退火处理，得到预制多晶硅层；

将与所述凹槽部对应的所述预制多晶硅层去除，得到多晶硅层，

其中，与所述凹槽部对应的所述非晶硅层在所述准分子激光的作用下可以完全熔融，与所述凸起部对应的所述非晶硅层在所述准分子激光的作用下部分熔融。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述图案化处理是通过刻蚀进行的。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，与所述凹槽部对应的所述非晶硅层的厚度小于等于与所述凸起部对应的所述非晶硅层的厚度大于

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，每个所述凸起部在第一方向上的宽度一致，每个所述凹槽部在所述第一方向上的宽度一致。

5.根据权利要求1或4所述的方法，其特征在于，所述凹槽部在第一方向上的宽度为3-5微米，所述凸起部在所述第一方向上的宽度为1.5-3.5微米。

6.一种制备多晶硅薄膜晶体管的方法，其特征在于，所述多晶硅薄膜晶体管的有源层是通过权利要求1-5中任一项所述的制备多晶硅层的方法形成的。

7.一种多晶硅薄膜晶体管，其特征在于，所述多晶硅薄膜晶体管是由权利要求6所述的方法制备获得的。

8.一种阵列基板，其特征在于，包括权利要求7所述的多晶硅薄膜晶体管。

9.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求8所述的阵列基板。