[发明专利]一种导电薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种导电薄膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

A．沉积镍层

在玻璃基底上沉积1-3个镍原子厚的镍薄膜层；

B、制备氧化石墨烯薄膜层

在镍薄膜层上涂布氧化石墨烯水溶液，在60～90℃条件下烘干，形成厚度为20～30μm的氧化石墨烯薄膜层；

C．沉积石墨烯层

采用CVD法在氧化石墨烯层上沉积石墨烯薄膜层，所述石墨烯薄膜层的厚度为80～100μm；

C．清洗、干燥

将步骤C得到的半成品进行降温处理，待温度降至室温后，将氧化石墨烯薄膜层进行清洗，去除镍薄膜层，然后进行干燥即可。

2.如权利要求1所述的一种导电薄膜的制备方法，其特征在于：步骤A中，所述沉积镍层的方法为磁控溅射法，本底真空度：5×10^-5～1×10^-4Pa，溅射压力1～3Pa，衬底温度30～100℃。

3.如权利要求1所述的一种导电薄膜的制备方法，其特征在于：步骤中C中，所述CVD法沉积石墨烯薄膜层过程中，碳源为甲烷，气体为H₂和He的混合气体；沉积的温度为550～700℃，沉积的压力为1×10^-4～5×10^-4Pa。

4.如权利要求1所述的一种导电薄膜的制备方法，其特征在于：步骤D中，所述清洗是指用弱酸溶液对降温后的半成品浸泡2～3h。

5.如权利要求1～4任一项所述的一种导电薄膜的制备方法，其特征在于：步骤D中，所述干燥的条件为110～130℃下干燥30～45min。