[发明专利]阵列基板的制作方法在审
申请号: | 201711020629.2 | 申请日: | 2017-10-25 |
公开(公告)号: | CN107799473A | 公开(公告)日: | 2018-03-13 |
发明(设计)人: | 王丽 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/84 | 分类号: | H01L21/84;G02F1/1333 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司44202 | 代理人: | 郝传鑫,熊永强 |
地址: | 430070 湖北省武汉市武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 制作方法 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板的制作方法。
背景技术
通常液晶显示面板由彩膜(Color Filter,CF)基板、薄膜晶体管(Thin FilmTransistor,TFT)基板、夹于彩膜基板与薄膜晶体管基板之间的液晶(Liquid Crystal,LC)及密封胶框(Sealant)组成。为了解决现实屏幕的亮度保持不变且背光亮度功耗不提升,技术人员想出了各种办法来提升透过率,现在常规的做法是采用平坦层来减少像素电极和公共电极与信号线或扫描线间的电容,一般平坦层的厚度为1.5μm以上,这使得开口率增大。同时为了实现显示设备窄边框的需求,通常的做法是压缩液晶显示面板的框胶宽度,也即减小液晶显示面板非显示区域的宽度。然而,减小液晶显示面板的框胶的宽度会减小TFT基板和CF基板的黏附性,通常会在TFT基板周边的平坦层(PLN)上挖一条凹槽,这样框胶与TFT基板的接触面积不会减小,但这又带来了一个技术上的问题,PLN的凹槽一般是1.5μm以上的较深的凹槽,且凹槽边缘的坡角(Taper)很大,一般大于50度,在后续形成像素电极(所述像素电极的材料包括但不仅限于为氧化铟锡)时通常在凹槽里面有大量的残留,残留的材料会引起了信号线间的短路,引起显示不良。
发明内容
本发明提供一种阵列基板的制作方法。所述阵列基板的制作方法包括:
提供基板;
形成设置在所述基板的一侧的薄膜晶体管;
形成覆盖所述薄膜晶体管的平坦层;
形成覆盖所述平坦层的光阻层;
提供光罩,所述光罩上设置有对应于所述平坦层周边区域的若干条凹槽图案,所述凹槽图案包括条状结构和多个凸起结构,所述条状结构用于在所述平坦层上形成凹槽,所述条状结构包括相对设置的第一侧面和第二侧面,所述凸起结构用于优化所述凹槽的坡角,所述凸起结构包括相对设置的第一平面和第二平面,所述第一平面贴合所述第一侧面和所述第二侧面设置,所述凸起结构的宽度从所述第一平面向所述第二平面逐渐减小;
利用所述光罩对所述平坦层进行曝光,以在所述平坦层的周边区域形成坡角在预设角度范围的凹槽。
相较于现有技术,本发明的阵列基板在所述光罩上设置有对应于所述平坦层周边区域的若干条凹槽图案,所述凹槽图案包括条状结构和多个凸起结构,所述条状结构用于在所述平坦层上形成凹槽,所述条状结构包括相对设置的第一侧面和第二侧面,所述凸起结构用于优化所述凹槽的坡角,所述凸起结构包括相对设置的第一平面和第二平面,所述第一平面贴合所述第一侧面和所述第二侧面设置,所述凸起结构的宽度从所述第一平面向所述第二平面逐渐减小;由于所述凸起结构的所述第二平面可以更好的匹配到制程机台的能力,在进行曝光处理时,机台可以更好的进行曝光,因此本发明可以形成较小的坡角,有助于改善平坦层凹槽内氧化铟锡(Indium Tin Oxide,ITO)的残留。
附图说明
为了更清楚地阐述本发明的构造特征和功效,下面结合附图与具体实施例来对其进行详细说明,显而易见地,下面描述中的附图是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的阵列基板的制作方法的流程图。
图2~图5是本发明实施例提供的阵列基板的制作方法的部分结构示意图。
图6是本发明提供的阵列基板的制作方法中光罩实施例的示意图。
图7是图6中I区域的放大示意图。
图8是本发明实施例一提供的阵列基板的制作方法的部分结构示意图。
图9~图12是本发明一较佳实施例提供的阵列基板的制作方法的凸起结构的示意图。
图13~图16是本发明一较佳实施例提供的阵列基板的制作方法的弧形图案的结构示意图。
图17是本发明一较佳实施例提供的阵列基板的制作方法的凸起结构的示意图。
图18是本发明一较佳实施例提供的阵列基板的制作方法的部分流程图。
具体实施例
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例是本发明的一部分实施例,而不是全部实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都应属于本发明保护的范围。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造