[发明专利]低频低介电损耗的AgNb共掺二氧化钛基介电陶瓷材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201711021284.2 | 申请日： | 2017-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN107640970B | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 杨祖培;彭惠;梁朋飞;晁小练 | 申请（专利权）人： | 陕西师范大学 |
| 主分类号： | H01B3/12 | 分类号： | H01B3/12;C04B35/46;C04B35/622 |
| 代理公司： | 61201 西安永生专利代理有限责任公司 | 代理人： | 高雪霞<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 710062 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 低频 低介电 损耗 agnb 共掺二 氧化 钛基介电 陶瓷材料 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种低频低介电损耗的AgNb共掺二氧化钛基介电陶瓷材料，其特征在于：该陶瓷材料的通式为(Ag1/4Nb3/4)xTi1-xO2，其中x的取值为0.005～0.01；该陶瓷材料由下述方法制备得到：
（1）按照(Ag1/4Nb3/4)xTi1-xO2的化学计量分别称取纯度为99.5%以上的原料Ag2O、Nb2O5和TiO2，充分混合球磨16～24小时，在80～100℃下干燥12～24小时，得到原料混合物；
（2）将原料混合物在1000～1200℃预烧2～4小时，得到预烧粉；
（3）将预烧粉经二次球磨、造粒、压片、排胶后，在1400～1450℃烧结5～10小时， 得到低频低介电损耗的AgNb共掺二氧化钛基介电陶瓷材料。
2.根据权利要求1所述的低频低介电损耗的AgNb共掺二氧化钛基介电陶瓷材料，其特征在于：在步骤（2）中，将原料混合物在1100℃预烧3小时。
3.根据权利要求1所述的低频低介电损耗的AgNb共掺二氧化钛基介电陶瓷材料，其特征在于：在步骤（3）中，将预烧粉经二次球磨、造粒、压片、排胶后，在1450℃烧结10小时。
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