[发明专利]柔性基底及其制作方法、柔性显示基板及其制作方法有效
申请号: | 201711021745.6 | 申请日: | 2017-10-27 |
公开(公告)号: | CN107768414B | 公开(公告)日: | 2020-07-17 |
发明(设计)人: | 谢春燕;张嵩;谢明哲 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;刘伟 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 柔性 基底 及其 制作方法 显示 | ||
本发明公开一种柔性基底及其制作方法、柔性显示基板及其制作方法,涉及显示技术领域,为解决现有技术中难以将柔性基底中的有机薄膜与载板分离,导致的影响工艺良率的问题。所述柔性基底包括:第一有机薄膜;位于所述第一有机薄膜上的无机薄膜;设置在所述无机薄膜的边缘的阻挡结构;位于所述阻挡结构限定的区域内的第二有机薄膜,所述第二有机薄膜在所述第一有机薄膜上的正投影位于所述第一有机薄膜的内部。本发明提供的柔性基底用于制备柔性显示基板。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种柔性基底及其制作方法、柔性显示基板及其制作方法。
背景技术
现有的柔性显示基板的制作方法一般包括如下步骤:提供一载板,在该载板上制作有机薄膜,以形成柔性基底,然后在柔性基底上形成显示器件,再将有机薄膜和显示器件与载板分离,并在有机薄膜远离显示器件的表面贴附保护膜,从而完成柔性显示基板的制作。
而在实际制备柔性显示基板时,为了提高柔性显示基板的信赖性和工艺稳定性,在制作柔性基底时,一般会在载板上制作双层的有机薄膜,即在载板上形成第一有机薄膜、无机薄膜、第二有机薄膜的层叠结构,但由于用于形成第二有机薄膜的材料为液体材料,该液体材料容易在无机薄膜的边缘发生流动,使得形成的第二有机薄膜的边缘超出第一有机薄膜,导致在采用激光剥离技术将第一有机薄膜以及无机薄膜、第二有机薄膜和显示器件与载板分离时,在边缘区域会发生第二有机薄膜与载板难以分离的问题,影响后续的工艺良率。
发明内容
本发明的目的在于提供一种柔性基底及其制作方法、柔性显示基板及其制作方法,用于解决现有技术中难以将柔性基底中的有机薄膜与载板分离,导致的影响工艺良率的问题。
为了实现上述目的,本发明提供如下技术方案:
本发明的第一方面提供一种柔性基底,包括:
第一有机薄膜;
位于所述第一有机薄膜上的无机薄膜;
设置在所述无机薄膜的边缘的阻挡结构;
位于所述阻挡结构限定的区域内的第二有机薄膜,所述第二有机薄膜在所述第一有机薄膜上的正投影位于所述第一有机薄膜的内部。
进一步地,所述阻挡结构在所述第一有机薄膜上的正投影位于所述第一有机薄膜的内部。
进一步地,所述阻挡结构的厚度大于或等于所述第二有机薄膜的边缘的厚度。
进一步地,所述阻挡结构采用有机感光树脂。
基于上述柔性基底的技术方案,本发明的第二方面提供一种柔性显示基板,包括上述柔性基底,所述柔性显示基板还包括位于所述柔性基底上的显示器件。
进一步地,所述显示器件包括:位于所述第二有机薄膜上的薄膜晶体管阵列层、发光元件和薄膜封装层。
基于上述柔性基底的技术方案,本发明的第三方面提供一种柔性基底的制作方法,包括:
提供一载板;
在所述载板上形成第一有机薄膜;
在所述第一有机薄膜上形成无机薄膜;
在所述无机薄膜的边缘形成阻挡结构;
在所述阻挡结构限定的区域内形成第二有机薄膜,所述第二有机薄膜在所述第一有机薄膜上的正投影位于所述第一有机薄膜的内部。
进一步地,所述在所述无机薄膜的边缘形成阻挡结构包括:
利用有机材料,在所述无机薄膜上形成阻挡薄膜;
对所述阻挡薄膜进行构图,形成位于所述无机薄膜的边缘的所述阻挡结构,所述阻挡结构在所述第一有机薄膜上的正投影位于所述第一有机薄膜的内部。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711021745.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的