[发明专利]一种调控Cu2Se基块体热电材料性能的方法

权利要求书

1.一种调控Cu₂Se基块体热电材料性能的方法，其特征在于，包括：

步骤1、将制备Cu₂Se基块体热电材料的初始粉体原料放于石英玻璃管中进行真空熔炼处理，得到Cu₂Se基铸锭；

步骤2、将所得到的Cu₂Se基铸锭进行研磨-过筛处理或球磨处理，获得一系列具有不同颗粒尺寸的Cu₂Se基粉体材料；

步骤3、将所得到的具有不同颗粒尺寸的Cu₂Se基粉体材料在相同条件下分别进行放电等离子烧结，得到一系列具有不同相变温度和最佳热电性能温区的Cu₂Se基块体热电材料。

2.根据权利要求1所述调控Cu₂Se基块体热电材料性能的方法，其特征在于，在所述步骤1中，具体过程为：

称取适量Cu、Se元素作为制备Cu₂Se基块体热电材料的初始粉体原料放入石英玻璃管中，将石英玻璃管进行抽真空密封处理，置于1050℃～1200℃的高温炉中熔炼24小时～72小时，得到Cu₂Se基铸锭。

3.根据权利要求1所述调控Cu₂Se基块体热电材料性能的方法，其特征在于，在所述步骤2中，进行研磨-过筛处理的过程具体为：

将所得到的Cu₂Se基铸锭置于玛瑙研钵中进行充分研磨，研磨后的粉体分别选择80目～300目之间的筛子进行过筛处理。

4.根据权利要求1所述调控Cu₂Se基块体热电材料性能的方法，其特征在于，在所述步骤2中，进行球磨处理的过程具体为：

在手套箱中将所得到的Cu₂Se基铸锭放置于球磨罐中，采用不同的球磨时间对Cu₂Se基铸锭进行球磨处理，球磨时间选择范围为4小时～24小时。

5.根据权利要求1所述调控Cu₂Se基块体热电材料性能的方法，其特征在于，在所述步骤3中，在进行烧结处理的过程中：

烧结温度为400℃～500℃；烧结压力为50MPa～100Mpa；烧结后保温5分钟～20分钟。