[发明专利]一种激光脉冲辅助制备复合金属纳米颗粒阵列的方法有效
| 申请号： | 201711023348.2 | 申请日： | 2017-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN109721026B | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | 梅菲;周远明;徐进霞;冯佳欢 | 申请（专利权）人： | 湖北工业大学 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00;B82B1/00;B82Y40/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 42222 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人： | 薛玲 |
| 地址： | 430068 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 贵金属纳米颗粒 合金纳米颗粒 纳米颗粒阵列 制备复合金属 形貌 激光脉冲 基底 制备 超高密度数据存储 导热 贵金属纳米 化学催化剂 生物传感器 光电器件 基底表面 激光能量 上下两层 阵列表面 高能量 激光束 可调节 自组装 热源 多层 两层 熔解 轰击 三维 复合 应用 | ||
1.一种激光脉冲辅助制备复合金属纳米颗粒阵列的方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)在基底上制备出二维金属纳米颗粒阵列；
(2)在步骤(1)所述的二维金属纳米颗粒阵列表面覆盖一层二维半导体薄膜；
(3)利用激光脉冲作为热源轰击步骤(1)所得附着有二维金属纳米颗粒阵列的基底背部，使该二维金属纳米颗粒阵列从基底表面熔解脱落，掉落到正下方的另一组二维金属纳米颗粒阵列或者二维半导体薄膜表面，与所述二维金属纳米颗粒阵列或者二维半导体薄膜复合，得到两层三维复合金属纳米颗粒阵列或者金属/半导体/金属三明治纳米结构。
2.根据权利要求1所述的激光脉冲辅助制备复合金属纳米颗粒阵列的方法，其特征在于，采用步骤(3)所述的方法，继续在所得三维复合金属纳米颗粒阵列或者金属/半导体/金属三明治纳米结构表面继续进行组装，得到三层或三层以上三维复合金属纳米颗粒阵列或金属/半导体复合纳米结构。
3.根据权利要求1所述的激光脉冲辅助制备复合金属纳米颗粒阵列的方法，其特征在于，所述二维金属纳米颗粒阵列的形状包括三角状、碗状、环状和网格状。
4.根据权利要求1所述的激光脉冲辅助制备复合金属纳米颗粒阵列的方法，其特征在于，所述金属纳米颗粒包括银纳米颗粒、金纳米颗粒。
5.根据权利要求1所述的激光脉冲辅助制备复合金属纳米颗粒阵列的方法，其特征在于，所述二维半导体薄膜材料包括：石墨烯、二硫化钼、黑磷。
6.根据权利要求1所述的激光脉冲辅助制备复合金属纳米颗粒阵列的方法，其特征在于，所述用于进行激光轰击的基底材料包括：Al2O3、石英玻璃、ITO玻璃。
7.一种三维复合金属纳米颗粒阵列，其特征在于，采用上述权利要求1-6任一项所述的方法制备得到。
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