[发明专利]氮化硅薄膜的沉积方法、氮化硅薄膜及PERC电池

权利要求书

1.一种氮化硅薄膜的沉积方法，所述氮化硅薄膜为用于PERC电池的背面氮化硅薄膜，所述沉积方法包括以下步骤：

将背面沉积有氧化铝薄膜的硅基体置于反应装置中，控制压力为0.15mbar～0.30mbar，温度为300℃～400℃，传送速度为180cm/min～240cm/min，先后采用第一微波源、第二微波源、第三微波源、第四微波源、第五微波源和第六微波源进行氮化硅薄膜的沉积，各微波源均设有左微波发生器和右微波发生器，各微波源的工艺参数设置如下：

采用第一微波源时，左微波功率为3200W～4200W，右微波功率为3200W～4200W，通入硅烷的流量为250sccm～300sccm，通入氨气的速率为850sccm～950sccm；

采用第二微波源时，左微波功率为3000W～4000W，右微波功率为3000W～4000W，通入硅烷的流量为225sccm～275sccm，通入氨气的速率为825sccm～925sccm；

采用第三微波源时，左微波功率为3000W～4000W，右微波功率为3000W～4000W，通入硅烷的流量为175sccm～275sccm，通入氨气的速率为800sccm～900sccm；

采用第四微波源时，左微波功率为3000W～4000W，右微波功率为3000W～4000W，通入硅烷的流量为150sccm～250sccm，通入氨气的速率为800sccm～900sccm；

采用第五微波源时，左微波功率为3000W～4000W，右微波功率为3000W～4000W，通入硅烷的流量为150sccm～250sccm，通入氨气的速率为800sccm～900sccm；

采用第六微波源时，左微波功率为3000W～4000W，右微波功率为3000W～4000W，通入硅烷的流量为175sccm～275sccm，通入氨气的速率为825sccm～925sccm；

经上述沉积工艺处理后，在所述氧化铝薄膜上制备得到氮化硅薄膜；

所述第一微波源至第五微波源中，后一微波源的硅烷流量不大于前一微波源的硅烷流量，后一微波源的氨气速率不大于前一微波源的氨气速率；

所述第一微波源、第二微波源、第三微波源、第四微波源、第五微波源和第六微波源的工艺参数中：采用左微波发生器时，占空比＝打开时间/(打开时间+关闭时间)，打开时间均为8ms～10ms，关闭时间均为9ms～12ms；采用右微波发生器时，占空比＝打开时间/(打开时间+关闭时间)，打开时间均为8ms～10ms，关闭时间均为9ms～12ms；

所述第一微波源、第二微波源、第三微波源、第四微波源、第五微波源和第六微波源的工艺参数中：左微波发生器与右微波发生器之间的频移均为10％～40％。

2.根据权利要求1所述的氮化硅薄膜的沉积方法，其特征在于，所述反应装置为平板式PECVD设备。

3.一种如权利要求1或2所述的氮化硅薄膜的沉积方法制备得到的氮化硅薄膜。

4.根据权利要求3所述的氮化硅薄膜，其特征在于，所述氮化硅薄膜的厚度为75nm～130nm，所述氮化硅薄膜用于PERC电池时的电池转换效率＞21％。

5.一种PERC电池，其特征在于，所述PERC电池含有如权利要求1或2所述的沉积方法制备得到的氮化硅薄膜或者含有如权利要求3或4所述的氮化硅薄膜。

6.根据权利要求5所述的PERC电池，其特征在于，所述PERC电池包括硅基体、沉积于硅基体背面的氧化铝薄膜、沉积于氧化铝薄膜上的所述氮化硅薄膜、以及设于所述氮化硅薄膜上的背银电极和铝背场。